技术文章
本文主要针对驱动电压Vgs和栅极电压阈值Vgs(th)本身对SiC MOSFET在使用过程中的影响做出讨论。在实际应用过程中,设置的Vgs电压是对设备的可靠性,功率损耗以及驱动电路的兼容性等因素的综合考虑。理论计算只是设计参考的一部分,也可以考虑实际测量获得真实的数据来修正设计参数。
本文主要探讨关于SiC器件驱动回路设计的要点,而如何选择合适的门极驱动电压也是整个驱动器设计的关键。
本文作为系列文章的第三篇,从SiC MOS寄生电容损耗与传统Si MOS作比较,给出分析和计算过程,供设计工程师在选择功率开关器件时参考!
富昌电子(Future Electronics)发布符合功能安全基础的电动汽车逆变器(EV Inverter)电机驱动整套方案,能有效帮助中国客户加快开发速度、提升EV INVERTER 产品的安全可靠性,优化性价比并最终付诸量产。
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