华虹宏力现在在上海的三座200mm晶圆厂月产能总计约146,000片，2015年全年平均产能利用率达90%以上。 在工艺节点方面，华虹宏力与友商差异化竞争，战略性地专注于0.13μm、0.11μm及90nm的先进技术节点。“对于智能卡和MCU应用来说，这是其产品特性的甜蜜点。”华虹宏力战略、市场与发展部部长胡湘俊指出。
在CITE展会上，EDN记者向胡湘俊部长进一步了解了华虹宏力的新工艺和对物联网领域的布局。 第三代超级结MOSFET 华虹宏力今年计划推出第三代超级结MOSFET，胡湘俊部长指出，第三代超级结MOSFET有着明显优势，比如导通电阻小、尺寸小、从平面式工艺到垂直式的转变等，会使得超级结MOSFET越来越受欢迎。 “比如在充电器中，考虑到发热和效率的提升，超级结会取代传统的MOSFET；其次，在充电桩，电动车领域会有很大的需求。”他表示。
在MOSFET领域，国内MOSFET自己有工厂的只占到25%，Fabless会占到75%，所以这会是一个很大的市场需求。 未来，采用电机为动力的新能源车将会大幅增长，因此IGBT也将有更广阔的市场，华虹宏力新一代的600V~1200V 场截止型 （Field Stop, FS）IGBT已经量产，胡湘俊部长透露，“公司目前拥有8英寸的IGBT平台，600V~1200V的产品已经量产，下一步会延伸到1700V。”
对物联网的布局
在物联网影响到的MCU、传感、无线领域中，华虹宏力的传统强项嵌入式闪存可以支持RF CMOS。华虹宏力同时具备适用于高端32位MCU的eFlash/EEPROM平台以及适用于入门级8位MCU的CE OTP/MTP平台，其中还包括一套专为物联网打造的0.11μm 超低功耗eFlash的全新平台解决方案。 而对于传感器，则是各大代工厂都起步较晚的一个领域，华虹宏力采用CMOS加传感器的单芯片工艺，现在成功流片的产品包括磁传感器、加速计、压力传感器等，可以实现两芯片键合工艺或单芯片工艺。 下面欣赏一下其所代工的客户产品，下图为MEMS压力计
下面这个看着是不是很眼熟，和小米的4口USB充电器好像啊
下图是0.13um eFlash的NFC安全芯片
下图是触控芯片
下图是智能电表微控制器
下图是射频芯片
下图是智能手表触控芯片
各类智能卡芯片
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