赛普拉斯推出快速写入非易失性存储器

赛普拉斯半导体公司日前宣布，该公司在其产品系列中整合了Ramtron International的铁电随机存取存储器（F-RAM）产品，提供了市场上最丰富的快速写入非易失性存储器容量范围选择。F-RAM是业界最低功耗的非易失性存储器，为赛普拉斯全球速度最快的非易失性静态随机存取存储器提供了有效补充。这种全新组合能够充分满足大量不同应用对于断电时保存数据的需求。赛普拉斯的nvSRAM和Ramtron F-RAM产品总共的全球出货量已超过10亿。 赛普拉斯于2012年11月20日正式完成Ramtron的并购。赛普拉斯保留Ramtron的器件型号，这些器件型号涵盖了市场上最丰富的F-RAM器件容量，保留器件型号也便于支持现有的F-RAM客户。超过95%的量产器件不会因为并购出现供应中断的问题，包括所有深受欢迎的串行F-RAM存储器和处理器伴侣（processor companion）。除了流行的串行和并行接口存储器之外，赛普拉斯非易失性存储器产品系列还包括RFID标签常用的无线存储器以及在同一封装中结合非易失性存储器与实时时钟的集成产品。 赛普拉斯存储器产品业务部执行副总裁Dana Nazarian指出：“Ramtron开发的F-RAM技术具有业界领先的性能，赛普拉斯致力于通过我们丰富的制造技术、出色的全球销售团队以及广泛的经销网络为这些产品提供巨大支持。我们计划在F-RAM技术领域投入研发资源，这也是我们存储器业务的有机组成部分。” 赛普拉斯非易失性产品业务部副总裁Babak Taheri指出：“F-RAM为我们的非易失性存储器产品系列带来了巨大优势和多样化功能。在我们的nvSRAM产品基础上补充增加F-RAM解决方案，使我们的客户能获得各种最终市场所需的最佳速度和功耗解决方案。” F-RAM和nvSRAM本身属于非易失性技术，不需要电池备份。F-RAM存储器单元本身具有10万亿次的高耐用性，快速单周期和对称读∕写速度，低能耗、gamma辐射耐受性和抗电磁干扰功能。这些特性使其理想适用于汽车、智能仪表、医疗设备、ePOS和打印机等多种不同应用。 赛普拉斯的nvSRAM采用其S8 0.13微米SONOS（氧化硅氮氧化硅）嵌入式非易失性存储器技术制造，能够支持更多的存取次数以及更高的密度和性能。nvSRAM具有无限次读写和取回周期，数据保留时间长达20年，使其理想适用于需要持续高速写入数据和需要绝对非易失性数据安全的应用（如RAID、SSD、工业自动化、计算和游戏应用等）。 《电子设计技术》网站版权所有，谢绝转载