SLC NAND闪存针对嵌入式市场升级工艺标准

日前，Spansion公司宣布其首个单层单元(SLC)系列Spansion NAND闪存产品开始出样，它采用4x nm浮栅技术，专门用于汽车、消费及网络应用的数据存储需求。Spansion SLC NAND将分为3.0V和1.8V两个系列，存储容量在1Gb~8Gb之间，该产品性能更高、温度范围更广，享有长期技术支持并且符合严格的可靠性要求，例如1位错误校正码(ECC)。 据Spansion公司市场总监曾子干介绍，用于通用存储领域的NAND产品主要是多层单元存储(MLC)，它存储容量大，但是速度慢、可靠性能低、产品寿命短且随着使用周期增长质量在逐步减弱，与之相比，SLCNAND读写次数多、速度快且可靠性高，因此更适合嵌入式市场独特的应用需求。 新的SLC NAND闪存解决方案不仅能够满足日益增长的数据存储需求，而且继承了Spansion产品可靠性高、使用寿命长的优点。全新SLC NAND产品可与Spansion的并行及串行NOR产品互补，使该公司产品线更完整。若产品设计要求高性能的代码执行和数据存储以创造丰富的用户体验时，设计师可以选择并行或串行NOR闪存。Spansion希望通过丰富的NOR和NAND闪存产品组合，为嵌入式设备制造商提供各种类型的非易失性存储器产品。 IHS iSuppli公司记忆与存储市场首席高级分析师Michael Yang认为，在汽车和消费产品细分市场的助推下，SLC NAND在嵌入式行业发展势头强劲。而家用产品和汽车日趋智能化，对于产品使用寿命也提出了更高的要求，这正好为SLC NAND提供了巨大的增长潜力。 面对日益增长的市场需求，曾子干表示，Spansion已做好持续扩大闪存产品的准备，以满足产业的严苛要求。Spansion将对其NAND产品进行严格的认证、测试以及广泛的温度支持和封装。由Spansion公布的到2017年为止的SLC NAND产品完整规划图可以看出，Spansion目前采用4x nm浮栅技术的1 Gb~8 Gb SLC NAND解决方案，到2012年底将升级至3x nm浮栅技术，并在2014年升级至2x nm。目前，Spansion已经与SK Hynix组成策略联盟，为嵌入式市场提供4x、3x和2x工艺节点的Spansion SLC NAND产品，高能效、高可靠度的SLC NAND产品组合，结合Spansion在这一领域备受肯定的客户支持，可继续实现其对于嵌入式市场的长期供应承诺。 《电子设计技术》网站版权所有，谢绝转载