意法半导体委托GLOBALFOUNDRIES代工28nm和20nm FD-SOI芯片

意法半导体独有的 FD-SOI技术投入量产，加快实现下一代移动产品更优性能、更低功耗
　　意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）宣布，引领全球半导体技术升级的半导体代工厂商 GLOBALFOUNDRIES将采用意法半导体专有的 FD-SOI（Fully Depleted Silicon-on-Insulator，全耗尽绝缘体上硅）技术为意法半导体制造28纳米和20纳米芯片。当今的消费者对智能手机和平板电脑的期望越来越高，要求既能处理精美的图片，支持多媒体和高速宽带上网功能，同时又不能牺牲电池寿命。在设备厂商满足消费者这些需求的努力中，意法半导体的FD-SOI芯片的量产和上市将起到至关重要的作用。 多媒体融合应用需要性能和能效兼备的半导体技术。随着芯片外观尺寸不断缩小，传统技术无法使晶体管的性能和电池寿命同时达到最高水准，无法在实现最优性能的同时确保温度不超过安全限制。解决之道是采用FD-SOI技术，该技术兼备最高性能、低工作功耗（在各种应用中，降低电源功率后还能保持良好的性能）和低待机功耗。 凭借其注重成本效益的平面型FD-SOI技术，意法半导体率先推出了28纳米的全耗尽型器件，遥遥领先竞争对手。为FD-SOI货源提供双重保障，意法半导体与GLOBALFOUNDRIES签订了代工协议，以补充意法半导体位于法国Crolles工厂的产能。28n纳米FD-SOI器件目前已商用化，预计于2012年7月前投入原型设计；而 20纳米 FD-SOI器件目前处于研发阶段，预计2013年第三季度投入原型设计。 意法半导体的FD-SOI技术已被ST-Ericsson用于下一代移动平台，这项技术将使ST-Ericsson的 NovaThor平台具有更高的性能和更低的功耗，在发挥最高性能的时候可降低功耗达35%。 意法半导体计划向GLOBALFOUNDRIES的其它客户开放FD-SOI技术，让他们能够使用目前最先进的 28纳米和20纳米技术研发产品。 《电子设计技术》网站版权所有，谢绝转载