Vishay扩充P沟道功率MOSFET

Vishay Siliconix采用P沟道TrenchFET Gen III技术的12V和30V MOSFET具有业界最低导通电阻 器件在4.5V下具有业内较低的13.5m?导通电阻,占位面积为2mm x 2mm和22mm x 3mm x 1.8mm 宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 10 月8 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款采用热增强型2mm x 2mm PowerPAK SC-70封装的单路12V器件--- SiA447DJ，以及采用3mm x 1.8mm PowerPAK ChipFET封装、高度0.8mm的单片30V器件---Si5429DU，扩充其TrenchFET Gen III系列P沟道功率MOSFET。两款MOSFET具有小占位的特点，在4.5V下具有相应外形尺寸产品中最低的导通电阻。 12V SiA447DJ采用超小尺寸的PowerPAK SC-70封装，在4.5V下的导通电阻为13.5m?，比最接近的同档器件低12%，在2.5V、1.8V和1.5V下的导通电阻为19.4m?、35m?和71m?。30V Si5429DU是首款采用3mm x 1.8mm尺寸规格的Gen III P通道MOSFET，在4.5V下的导通电阻为22m?，比最接近的竞争器件低35%，在10V下具有业内较低的15m?导通电阻。 SiA447DJ和Si5429DU可以在智能手机、平板电脑和移动计算设备等便携式电子产品的电源管理应用中用做电池管理或负载开关。MOSFET的小尺寸封装可在这些产品中节约PCB空间，其低导通电阻能够减少导通损耗，进而减少功耗并延长两次充电间的电池寿命。MOSFET的低导通电阻还意味着负载开关上的电压降更低，可防止有害的欠压锁定现象。 Si5429DU的电压等级达到30V，可用于采用多芯锂离子电池的终端产品，SiA447DJ可用在尺寸和更低导通电阻是关键考虑因素的场合。另外，SiA447DJ能够在1.5V下导通，可与手持设备中常见的更低电压的栅极驱动和更低的总线电压配合工作，节省电平转换电路的空间和尺寸。 SiA447DJ和Si5429DU进行了100%的Rg测试，符合RoHS，无卤素。如果需要更多信息，以便为您的应用选择合适的TrenchFET Gen III P沟道MOSFET，请访问http://www.vishay.com/mosfets/geniii-p/。

Vishay扩充P沟道功率MOSFET
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