ARM公司CEO认为Intel移动IC工艺没有优势

ARM公司的CEO Warren East告诉EW说：“英特尔在移动集成电路芯片的制造方面没有优势。” “去年这个时候，英特尔阵营中出现了许多怀疑其制造先进性的杂音，”East说，“我们对制造先进性表示怀疑，是因为英特尔目前的工艺技术代正在向32nm转移，而ARM现在的主流工艺代已经达到了28nm。所以我们没有看到英特尔比我们超前的地方。” 更重要的是，随着代工厂不断加速工艺技术代升级的时间进程，英特尔在未来移动工艺技术方面的优势显得越来越不明显了。 “我们的服务对象包括所有独立的代工厂商。” Warren East说。这些代工厂商包括：台积电公司的20纳米平面体硅CMOS技术和16纳米 FinFET（鳍状场效应晶体管）技术；三星公司的20纳米平面体硅CMOS技术和14纳米FinFET技术；Globalfoundries公司的20纳米平面体硅CMOS技术、20纳米FD-SOI技术和14纳米FinFET技术等。 这给了ARM的生态系统一个很大的选择范围。“我无法简单评估相对于其他工艺来说哪种工艺更加成功，” Warren East说，“我们要在未来工艺不确定的情况下对不同客户进行服务。” 一个有趣的现象是，这些代工厂工艺蓝图的发展方向都不约而同地指向了英特尔的14纳米技术节点。 14纳米技术节点将成为英特尔第一个在工艺前期开发移动SOC（System on Chip， 系统芯片）产品的工艺技术代，也就是说，英特尔将把SOC作为新工艺的第一个集成电路产品。 在被问道代工厂是否会在下一代工艺的前期集成移动SoC产品，East回答道：“我们从我们的代工厂合作伙伴那里可以肯定这一判断。” Globalfoundries代工厂计划将14nm Finfet技术应用到2014年的大规模生产中，这与英特尔公司技术引入14纳米Finfet技术的时间节点一致。 实际上，Globalfoundries代工厂的14纳米工艺可能比英特尔公司的14纳米工艺有更小的特征尺寸， Globalfoundries代工厂的高级副总裁Mojy Chian说，这是因为“英特尔对特征尺寸的定义与其他代工企业并不一致。举个例子，英特尔22纳米后道金属工艺的特征尺寸与其他代工企业28纳米的特征尺寸一致。英特尔22纳米的设计规则和金属间距与其他代工企业28纳米的设计规则和金属间距非常相近。” 意法半导体公司的CTO Jean-Marc指出，英特尔公司宣称的22纳米栅极沟道长度实际上为26纳米。 此外，英特尔公司的Finfet技术用的是三角形的鳍型晶体管结构，这将会使Finfet工艺本身丧失优势，这与Globalfoundries公司经优化的矩形鳍型晶体管结构相比显得较为逊色。 Chian指出，Globalfoundries公司在14纳米Finfet技术之前会以移动SoC产品为主。从2009年起，Globalfoundries公司便与ARM公司合作，专门为基于ARM公司架构设计的SOC产品进行工艺优化开发。 《电子设计技术》网站版权所有，谢绝转载 {pagination} 台积电公司16纳米Finfet技术节点预计将于明年底启动首轮流片。流片中采用的测试芯片将采用基于ARM公司的64位V8处理器。 如果在台积电16纳米Finfet技术节点上能够成功验证ARM公司处理器的话，将会给台积电基于ARM架构开发SOC产品的客户带来极大的信心。 被问道在基于ARM架构开发的SOC产品上使用Finfet工艺技术所带来的效果时，East说：“在先进技术的使用方面没有绝对的对或错。问题的关键在于能否以可接受的成本向客户提供先进技术所带来的好处？先进技术必然带来成本的增加。先进技术会对制造带来多少的成本？产品良率又是多少呢？这些当然都对成本产生影响。” 在被问道ARM公司向服务器市场的推进进程问题时，East回答道：“直到目前，进展都很顺利。应用了Calxeda芯片（基于ARM公司内核）的波士顿Viridis服务器产品现在已经可以在市场上买到。我们对此非常看好。在同样计算性能的水平下，该产品在节能和空间节省方面的参数比预期要好很多。” “目前，服务器一般都是基于为智能手机专门设计的Cortex A9架构进行开发的，”East补充道，“如果服务器基于A15架构进行开发，将使其性能得到极大改善。我们对这方面的研发进展非常满意。” 当被问道周五的一个大事件，即基于ARM处理器的Windows 8面市了，且装有为ARM处理器专门开发的Windows操作系统的笔记本和平板电脑也同期上市销售了，East回到说：“这并不值得惊讶，该来的这一天总是回来的。” 第三季度ARM公司的销售额比去年同期增长了18%，且利润额比去年同期增长了22%，预计第四季度ARM公司将会有更好的市场表现。 作者：David Manners 《电子设计技术》网站版权所有，谢绝转载