ST利用碳化硅技术提高太阳能发电率

意法半导体(ST)发布碳化硅太阳能解决方案 新功率产品组合利用碳化硅技术的能效优势提高太阳能发电率 横跨多重电子应用领域半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；)发布碳化硅产品创新成果，助力系统厂商研发能够将太阳能转化成电网电能的高能效电子设备。 意法半导体已于近日在美国佛罗里达州举办的2012年国际太阳能展览会暨研讨会（Solar Power International 2012）上展出了1200V碳化硅二极管。该产品可取代DC-DC升压转换器和DC-AC逆变器所用的普通二极管，把太阳能光伏板模块的低压输出电能转换成高质量的电网电压AC电能。 作为太阳能发电用二极管的基本材料，碳化硅二极管的各项技术指标均优于普通双极二极管（silicon bipolar）技术。碳化硅二极管导通与关断状态的转换速度非常快，而且没有普通双极二极管技术开关时的反向恢复电流。在消除反向恢复电流效应后，碳化硅二极管的能耗降低70%，能够在宽温度范围内保持高能效，并提高设计人员优化系统工作频率的灵活性。 意法半导体的1200V碳化硅二极管试验证明，即便负载和开关频率很高，逆变器总体能效仍然提高2%。在逆变器的额定生命周期内，2%的能效改进可让家庭太阳能发电系统和大功率发电站节省数兆瓦小时的宝贵电能。 意法半导体还发布了碳化硅MOSFET项目的最新进展。意法半导体的碳化硅MOSFET将是世界首批商用碳化硅MOSFET。因为有诸多优点，预计将会取代太阳能逆变器中的高压硅绝缘栅双极晶体管 （Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT）。 除了比IGBT降低50%的能耗外，碳化硅MOSFET无需特殊的驱动电路，且工作频率更高，这让设计人员能够尽可能减少电源元器件数量，降低电源成本和尺寸，并提高能效。 碳化硅MOSFET和二极管的其它应用包括计算机房和数据中心用的大型电源和电动汽车的马达驱动电子系统。 《电子设计技术》网站版权所有，谢绝转载