Vishay Siliconix 扩展ThunderFET的电压范围,150 V N沟道TrenchFET功率MOSFET为DC/DC应用提供18m?导通电阻.
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布新款采用热增强型PowerPAK SO-8封装的新款N沟道TrenchFET功率MOSFET---SiR872ADP，将该公司的ThunderFET技术的电压扩展至150V。Vishay Siliconix SiR872ADP在10V和7.5V下的导通电阻低至18m?和23m?，同时保持低栅极电荷，在10V和7.5V下的典型电荷为31nC和22.8nC。
今天发布的器件适用于DC/DC转换器、DC/AC逆变器，以及通信砖式电源、太阳能微逆变器和无刷直流电机的升压转换器中的初级侧和次级侧的同步整流。在这些应用当中，SiR872ADP的导通电阻比前一代器件低45%，可降低传导损耗，提高系统的整体效率。
Vishay新TrenchFET功率MOSFET可提供18m?导通电阻
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