我们对Intel的200GB 710企业级固态硬盘(SSD)的主要兴趣是，产品设计重点主要放在耐用性、可靠性和功效上。而将多层单元(MLC)NAND闪存用作主存储部件也值得关注。
我们对Intel的200GB 710企业级固态硬盘(SSD)的主要兴趣是，产品设计重点主要放在耐用性、可靠性和功效上。而将多层单元(MLC)NAND闪存用作主存储部件也值得关注。Intel将固态硬盘中的这种MLC NAND实现称为高耐用性技术(HET)。
据Intel介绍，HET包含有Intel自己开发的固件、Intel控制器和高循环次数NAND。这种技术结合了NAND硅增强性能和独特的固态硬盘NAND管理技术，可扩展基于MLC的固态硬盘的写入耐用性，实现最优的耐用性和操作性能。Intel HET固件增强方面除了一般的工业纠错码(ECC)标准外，还包括优化的错误避免技术、写入放大率抑制算法以及系统级错误管理功能。
《电子技术设计》网站版权所有，谢绝转载 {pagination} 1．20个MT29F16B08CCME1 NAND MLC集成电路，以镜像方式安装在电路板的正反面，实现了存储容量高达200GB的Intel 710固态硬盘。 每个NAND闪存器件封装包含两个堆叠的64Gb、25nm L74A NAND闪存裸片，因此每个封装容量为128Gb。总的闪存容量实际上是320GB，因此具有很高程度的预留空间。
《电子技术设计》网站版权所有，谢绝转载 {pagination} ONFI的使用 我们把一个Intel 29F16B08CCME1 25nm MLC NAND闪存器件连接到了我们的闪存测试仪。测试表明，这种器件兼容开放NAND闪存接口(ONFI)规范。器件返回的详细ONFI参数字节(详细的器件参数和支持功能列表)表明，它支持ONFI版本2.2，并且支持控制器使用的各种异步操作。 ONFI规范描述了单独的I/O电源VCCQ选项，电压低至1.8V，在Intel 710固态硬盘中这个电源已经实现。因此，I/O总线工作时的功耗要显著小于VCCQ电源为3.3V VCC时的功耗。 在固态硬盘读写操作时监视NAND闪存器件的引脚可以观察控制器与闪存的交互操作。控制器具有高度的并行运行机制，其多平面操作可直达每个裸片，并对所有闪存器件保持一个有组织的和平均分布的数据写入。 Intel 710固态硬盘中采用的辨别和使用高质量MLC NAND闪存的创新方法，加上断电时的可靠性、非常大容量的预留空间以及降低的功耗，使得Intel 710成为一种独特且创新的企业级固态硬盘，可进一步增强企业级和消费级存储器之间的区别。 原文作者：Tarek Alhajj，UBM Techinsights公司
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