Vishay P沟道Gen III MOSFET具有业内最低导通电阻,-12V和-20V器件采用PowerPAK ChipFET和PowerPAK 1212-8S封装，3.0mm x 1.9mm x 3.3mm的占位体积。
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK ChipFET和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET P沟道Gen III功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET可提高便携式计算和工业控制设备中的电源效率，是-4.5V和-2.5V栅极驱动下具有业内最低导通电阻的-12V和-20V器件，占位面积为3.0mm x 1.9mm x 3.3mm。
Si5411EDU、Si5415AEDU和SiSS23DN适用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、工业传感器和POL模块里的电源管理等各种应用中的负载、电池和监控开关。器件的低导通电阻使设计者能够在其电路里实现更低的电压降，更高效地使用电能，延长电池使用寿命。
Vishay P沟道Gen III MOSFET
Vishay P沟道Gen III MOSFET具有业内最低导通电阻
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