Vishay Siliconix 推出业内率先采用PowerPAK SC-75和SC-70封装的功率MOSFET,新款100V N沟道TrenchFET功率MOSFET采用ThunderFET技术，在1.6mm x 1.6mm和2mm x 2mm占位面积内实现83m欧姆的低导通电阻.
Vishay Siliconix 推出业内率先采用PowerPAK SC-75和SC-70封装的功率MOSFET,新款100V N沟道TrenchFET功率MOSFET采用ThunderFET技术，在1.6mm x 1.6mm和2mm x 2mm占位面积内实现83m欧姆的低导通电阻.
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款100V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，将Vishay的ThunderFET应用到更小的封装尺寸上。SiB456DK和SiA416DJ是业内首次采用这种小尺寸、热增强型PowerPAK SC-75 1.6mm x 1.6mm和PowerPAK SC-70 2mm x 2mm占位面积的100V N沟道器件，导通电阻分别小于200m欧姆和100m欧姆。
今天推出的MOSFET适用于升压转换器、低功率DC/AC逆变器，以及电信砖式电源、负载点应用和便携式设备中的LED照明等小型DC/DC转换器的初级侧开关。对于设计者来说，器件的超小PowerPAK SC-75和PowerPAK SC-70封装可在这些应用中节省PCB空间，其低导通电阻可实现更低的导通电阻，从而降低能源消耗，提高效率。另外，MOSFET可在4.5V下导通，简化了栅极驱动。
Vishay采用PowerPAK SC-75和SC-70封装的功率MOSFET
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