具备低动态电阻和超低电容的瞬态电压抑制器件

英飞凌面向移动系统推出具备低动态电阻和超低电容的TVS器件,壮大电路保护产品阵容. 英飞凌科技股份公司今日推出一系列可为移动电子系统提供一流静电释放（ESD）保护的瞬态电压抑制（TVS）器件。ESD102 TVS二极管和阵列器件具备非常低的动态电阻（Rdyn = 0.19Ω）和超低电容（C = 0.4pF），可使工程师满足新一代智能手机和平板电脑高速接口在设计强健性和信号质量方面的严格要求。 集成电路（IC）微型化发展促进了电子设备性能的改进，但同时也为工程师提出了更大挑战，要求实现系统短路保护，以防导致出错，甚至造成系统故障。英飞凌推出了多种TVS二极管和阵列，用于最大限度降低各类计算和通信系统应用的短路风险。 ESD102系列 TVS二极管适用于便携式电子设备的USB 3.0、GBit Ethernet、Firewire 和 HDMI 链路等高速数据接口。这些数据线需要以最小的封装尺寸和十分出色的功率规格实现良好保护。全新系列器件采用2引脚（单线）、 4引脚（用于双线阵列）或5引脚（用于4线阵列）封装，高于IEC61000-4-2标准的相关规范要求。其漏电流不高于50nA，有助于延长系统电池寿命。 其他ESD102系列规格 ESD102-U1-02ELS （单向TVS二极管、1线、TSSLP-2-3封装） ESD102-U2-099L （单向TVS二极管、2线、TSLP-4-10封装） ESD102-U4-05L （单向TVS二极管、4线、TSLP-5-2封装） 高速数据线的ESD /瞬变保护高于下述标准要求： IEC61000-4-2 （ESD）: ≥ ±20 kV （空气/接触） IEC61000-4-4 （EFT）: ≥2.5 kV / ≥50 A （5/50纳秒） IEC61000-4-5 （浪涌）: 3 A （8/20微秒） 最大工作电压： VRWM = 3.3 V 线电容（I/O至GND）: CL = 0.4 pF （典型值） 箝位电压：在IPP = 16 A下，VCL = 8 V（典型值） 动态电阻：RDYN = 0.19 Ω （典型值） 反向电流：在电压为3.3 V下， IR = 1 nA（典型值） 供货情况 ESD102系列器件和入门套件现已开始供货。TSSLP-2-3、TSLP-4-10和TSLP-5-2封装完全符合RoHs标准和无卤素指令要求。 全面的ESD保护设计支持 为帮助提升ESD保护系统的强劲性和加速保护系统的设计，英飞凌推出了综合性TVS二极管仿真模型库，并提供专家咨询服务，支持准确选择保护器件和电路设计。 《电子设计技术》网站版权所有，谢绝转载