Vishay全新高速红外发射器和高速硅PIN光电二极管

2013 年 5 月15 日,Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型高速850nm红外发射器--- VSMG10850和940nm红外发射器--- VSMB10940，以及匹配封装、对780nm～1050nm辐射非常敏感的高速硅PIN光电二极管---VEMD10940F，扩大其光电子产品组合。这些器件均具有±75°的超宽半强角，小尺寸侧视表面贴装封装的尺寸为3mm x 2mm，高度仅有1mm。 今天发布的这些红外发射器采用透明无色封装，在20mA下的典型发光强度达1mW/sr，比市场上的类似器件高33%，开关时间只有15ns。940nm VSMB10940采用GaAIAs多量子井技术，典型正向电压为1.3V；850nm VSMG10850采用双异质技术，正向电压为1.4V。

Vishay推出用于红外触摸板的新款高速红外发射器和与之配套的高速硅PIN光电二极管
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VEMD10940F光电二极管具有一个匹配VSMG10850和VSMB10940等830nm～950nm红外发射器的日光滤光片。器件的反向光电流为3μA，暗电流为1nA，峰值敏感度波长为920nm，光电流的温度系数低至0.1%/K。 VSMG10850、VSMB10940和VEMD10940F的外形很低，适合用在打印机显示屏、电子书阅读器、智能手机、平板电脑、超级本和GPS导航仪等设备的红外触摸板当中。器件可以在车间存放168小时，潮湿敏感度等级达到J-STD-020规定的3级。发射器和光电二极管支持无铅回流焊，并符合Vishay的绿色标准。 新款红外发射器和光电二极管现可提供样品，并已实现量产，供货周期为六周到八周。 《电子设计技术》网站版权所有，谢绝转载