意法半导体推出全新M系列1200V IGBT

2014年12月11日,意法半导体推出全新M系列1200V IGBT，以先进的沟栅式场截止技术 (trench-gate field-stop) 为特色，有效提升太阳能逆变器 (solar inverters)、电焊机 (welding equipment)、不间断电源 (uninterruptible power supplies) 与工业电机驱动器等多项目标应用的能效和可靠性。 高度优化的导通性和关断性以及低导通损耗 (low turn-on loss)，让全新的改进型IGBT 特别适用于执行工作频率高达20kHz的硬开关电路 (hard-switching circuit)；最高工作温度提高至175°C，宽安全工作范围 (SOA, safe operating area) 无闭锁效应 (latch-up free)，150°C 时的短路耐受时间 (short-circuit withstand time) 为10μs，这些特性确保新产品在恶劣的外部电气环境中具有更高的可靠性。 新产品所用的第三代技术包括新的先进的沟栅结构设计和优化的高压IGBT架构，可以最大限度地降低电压过冲 (voltage overshoot)，消除关断期间出现的振荡现象 (oscillation)，有效降低电能损耗，简化电路设计。与此同时，低饱和电压 (Vce (sat)) 可确保新产品具有很高的导通能效。正温度系数和窄饱和电压范围可简化新产品并联设计，有助于提高功率处理能力。 新产品还受益于提升的导通能效。此外，新产品与IGBT反向并联 (anti-parallel) 的新一代二极管一同封装，具有快速的恢复时间和增强的恢复软度特性，且导通损耗没有明显上升，进而实现更出色的EMI性能表现。 40A STGW40M120DF3、25A STGW25M120DF3和15A STGW15M120DF3三款产品采用标准的TO-247封装，STGWA40M120DF3、STGWA25M120DF3和STGWA15M120DF3三款产品采用TO-247长引脚封装，目前均已开始量产。 《电子技术设计》网站版权所有，谢绝转载