英飞凌扩展其逆导软开关IGBT 产品组合，新增 650V RC-H5器件,新器件可降低高达 30% 的开关损耗，使系统更加节能高效.
2014年5月19日——英飞凌科技股份公司推出一款全新单片集成逆导二极管的 650V器件，再次扩展其最新一代逆导软开关IGBT（绝缘栅双极晶体管）产品线。英飞凌的RC-H5 系列产品性能卓越，而新推出的这款器件更将显著扩大RC-H5系列产品的应用范围。全新的分立式RC-H5 650V电源半导体是多炉盘电磁炉和带逆变器微波炉的绝佳之选，也是各类硬开关半桥配置拓扑结构的最佳选择。
新推出的分立式RC-H5 650V电源半导体与所有的RC-H5产品一样，比前一代产品更加高效节能，可进一步降低30%的开关损耗，使设计人员将能够使用的IGBT工作频率提高到40KHz。总而言之，这款全新设计的分立式电源半导体节能性能更出色，可使系统整体减少5%的能源消耗。
英飞凌推出一款全新单片集成逆导二极管的 650V器件
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