安森美半导体推出能降低损耗的低压功率MOSFET新系列,以达到业界更高能效的需求.25 V器件利用设计、封装及材料技术以提供MOSFET能效基准，用于服务器及电信交换机应用.
2014年5月21日 – 推动高能效创新的安森美半导体推出新系列的6款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，它们经过设计及优化，提供领先业界能效，优于市场现有器件。NTMFS4Hxxx及NTTFS4Hxxx系列MOSFET极适合用作服务器、网络设备及高功率密度DC-DC转换器等多种应用的开关器件，或者用于配合负载点(POL)模块中的同步整流。这些器件提供包含及不包含集成一个肖特基二极管的不同版本，能帮助工程师提供更高能效。
安森美推出能降低损耗的低压功率MOSFET新系列
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