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PI InnoSwitch IC:更高效率更少元件,满足充电器适配器应用新趋势

2014-11-11 00:00:00 Evan Li,EDNC 阅读:
Power Integrations发布一类全新的电源IC——InnoSwitch系列高集成度开关IC。InnoSwitch IC采用新的FluxLink安全隔离通讯技术,InnoSwitch同时集成了初级开关和次级开关电路,不仅能减少元件数、省去低速且不可靠的光耦器以及性能优于初级侧控制器,而且还能大幅降低制造成本。
随着新技术的出现,目前的电源功率密度较传统的电源功率密度已经增大了不止一倍。然而,智能手机、平板电脑等电子设备在应用需求上的追求似乎是“永无止境”的,因而出现了“功率密度没有最高只有更高”这样的“标语”。同时,能效要求的不断提升;更高电流额定值的需求也驱动着开关电源、电源适配器、充电器等产品需要更佳的解决方案。 总部位于美国硅谷的Power Integrations(PI)公司,是一家致力于提供用于高压电源转换系统的高性能电子元器件的供应商,其聚焦领域不仅涵盖消费、PC、通信,还涉及照明、电动汽车、工业控制和新能源系统等等诸多应用。 今日,Power Integrations发布一类全新的电源IC——InnoSwitch系列高集成度开关IC,为开关电源设计带来革命性变化。采用InnoSwitch IC,电子工程设计师可以轻松超越全球所有的效率和空载功耗标准,±3%恒压、±5%恒流、最高24W的输出功率。 InnoSwitch 电源IC具有较高的工作效率,即时瞬态响应,空载功耗<10 mW,满足美国DoE 6及欧盟CoC V5标准;具有低纹波、高精度恒压和恒流,高功率密度。其性能高度满足智能移动设备充电器和适配器应用,除此之外,也适合于机顶盒、通信网络设备和计算机外设等应用。 FluxLink技术,集成次级侧调节(SSR)

InnoSwitch IC采用新的FluxLink安全隔离通讯技术,InnoSwitch同时集成了初级开关和次级开关电路,不仅能减少元件数、省去低速且不可靠的光耦器以及性能优于初级侧控制器,而且还能大幅降低制造成本。
InnoSwitch IC采用新的FluxLink安全隔离通讯技术,InnoSwitch同时集成了初级开关和次级开关电路,不仅能减少元件数、省去低速且不可靠的光耦器以及性能优于初级侧控制器,而且还能大幅降低制造成本。
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这项专有的新型反馈技术无需庞大的光耦器即可实现精确控制,同时还能避免初级侧调节(PSR)固有的性能缺陷,如精确度和效率有限以及相对于空载功耗瞬态响应较慢。 InnoSwitch 集成次级侧调节(SSR),带有HiPot隔离保护的集成反馈通讯链路,集成了650 V MOSFET和SR控制器,集成的SR驱动省去了昂贵的肖特基二极管。 另外,与初级侧调节开关IC相比,这种基于InnoSwitch的次级侧调节(SSR)设计对变压器、二极管、电阻和电容等外围元件的容差具有较低敏感度。

PI推出InnoSwitch系列开关IC
FluxLink技术,通过UL1577/TUV 60950 CB全球认证,经认证符合CQC中国5000米海拔要求,爬电距离达9.65 mm。可轻松实现宽松的布局,满足HiPot和24 kV ESD要求。
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PI推出InnoSwitch系列开关ICgndednc

《电子技术设计》网站版权所有,谢绝转载 {pagination} 减少元件数,提高装配单位人时产能(UPH),降低劳动力成本提高产量 如今,一款5 A移动设备充电器的总元件数就可以和PSR设计一样少,并且提供精确的恒压和恒流控制(容差分别为+/-3%和+/- 5%)以及低电压纹波。 高效率、极少的元件数的Innoswitch 对于移动设备充电器和适配器解决方案极具吸引力

设计范例:5 V/2 A适配器
设计范例:5 V/2 A适配器
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在整个负载/线电压范围内均具有极高的转换效率
在整个负载/线电压范围内均具有极高的转换效率
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FluxLink能实现最优的SR FET时序,实现效率最大化 InnoSwitch电源IC集成了高压功率MOSFET、初级侧控制器、FluxLink反馈技术以及带同步整流(SR)的次级侧控制器。同步整流功能与初级侧主控制器的结合,以及FluxLink高速通讯通道的利用,使得同步整流开关时序得以优化,从而实现效率的最大化。快速通讯链路还可以确保高可靠性的同步整流工作,能消除非连续导通模式(DCM)或连续导通模式(CCM)中存在的击穿现象,即使在瞬态负载和故障情况下亦能避免。DCM和CCM模式中的有效同步整流工作对于自适应电压充电器应用特别有用。

SR FET栅极驱动在初级FET关断后150纳秒内导通(DCM和CCM)
SR FET栅极驱动在初级FET关断后150纳秒内导通(DCM和CCM)
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非连续导通模式(DCM)
非连续导通模式(DCM),SR FET在次级电流降到零时关断(DCM)
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连续导通模式(CCM)
连续导通模式(CCM),SR FET在初级导通150纳秒之前关断(CCM)
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此外,InnoSwitch IC利用连接到漏极引脚的高压电流源提供的偏置电流进行启动,从而省去了外部启动电路元件。外部偏置绕组可以在正常工作期间降低空载功耗和提高系统效率。该IC还具有全面的系统级功能,如输出过压保护、过载功率限制、迟滞热关断保护以及可降低EMI干扰的频率抖动。 《电子技术设计》网站版权所有,谢绝转载 {pagination} Power Integrations产品开发副总裁Mike Matthews表示:“InnoSwitch IC是首款将初级侧调节的简单性和低元件数与次级侧控制的高性能集于一身的开关IC。InnoSwitch产品系列的高集成度能够减少电源元件数,其次级侧调节拓扑结构允许使用更简单、成本更低的自动绕制变压器,同时还能提高生产良品率,从而大幅降低制造成本。现在,有两家世界领先的移动设备制造商正在生产用这款集成了FluxLink技术的InnoSwitch系列IC设计而成的充电器。” 支持快速充电 PI还展示了InnoSwitch支持高通的快速充电Quick Charge 2.0。PI开发的ChiPhy(充电接口物理)系列IC,与InnoSwitch 开关IC(Switch,TinySwitch也支持QC 2.0协议)结合使用,能将自适应快速充电功能增加到AC-DC充电器。

InnoSwitch支持高通的快速充电Quick Charge 2.0gndednc

InnoSwitch支持高通的快速充电Quick Charge 2.0gndednc

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