Analog Devices, Inc.(ADI)日前推出了一款专门用于9 KHz至13 GHz频段的吸收式单刀双掷(SPDT)开关HMC1118LP3DE，它具有48dB的高隔离度，在8 GHz条件下运行时仅有0.6dB的低插入损耗。 HMC1118LP3DE是ADI公司的新型RF和微波控制产品组合中的第一款产品，展现了硅工艺技术的固有优势，与传统的GaAs（砷化镓）RF 开关相比具有重大明显优势。
Analog Devices, Inc.(ADI)日前推出了一款专门用于9 KHz至13 GHz频段的吸收式单刀双掷(SPDT)开关HMC1118LP3DE，它具有48dB的高隔离度，在8 GHz条件下运行时仅有0.6dB的低插入损耗。 HMC1118LP3DE是ADI公司的新型RF和微波控制产品组合中的第一款产品，展现了硅工艺技术的固有优势，与传统的GaAs（砷化镓）RF 开关相比具有重大明显优势。 这些优势包括：建立时间比GaAs快100倍；提供强大的ESD（静电放电）保护（达到2000V，而GaAs仅为250V）；能够扩展开关的低频端，比GaAs低1000倍，同时保持高线性度。
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