eMMC闪存控制器即将被UFS所取代

由于消费类电子产品（手机、平板、NB、存储卡和U盘等）对闪存的需求激增，全球NAND闪存市场预估由2010年200亿美元增长到2015年350亿美元。随着闪存工艺微缩，先进工艺生产的闪存性能越来越差，闪存控制芯片的技术门槛则越来越高。 在IIC China 2015（电子工程盛会）上，横宇科技展示了4GB到64GB的uSD和eMMC控制器和4+4到16+16 GB的eMCP控制器芯片。

图1：横宇科技uSD/eMMC/eMCP控制器芯片展示。
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横宇科技股份有限公司固件开发一部资深工程师宋威良告诉记者，衡宇科技提供一系列高性能、低功耗、高性价比的SD卡控制芯片。该控制芯片支持各种闪存，包括三星、东芝、闪迪、海力士、美光和英特尔的SLC、MLC及TLC闪存。 该公司eMMC/eMCP控制芯片是全球第二家支持TLC的eMMC/eMCP控制芯片，提供了高性能、低功耗、高性价比的解决方案。该芯片同样支持以上厂商的SLC、MLC和TLC闪存。衡宇科技的控制芯片通过了严苛的条件与环境测试，能提供高可靠性、兼容性和优越的读写性能。

图1 系统的总体框图
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横宇科技股份有限公司固件开发一部资深工程师宋威良告诉记者，衡宇科技提供一系列高性能、低功耗、高性价比的SD卡控制芯片。该控制芯片支持各种闪存，包括三星、东芝、闪迪、海力士、美光和英特尔的SLC、MLC及TLC闪存。 该公司eMMC/eMCP控制芯片是全球第二家支持TLC的eMMC/eMCP控制芯片，提供了高性能、低功耗、高性价比的解决方案。该芯片同样支持以上厂商的SLC、MLC和TLC闪存。衡宇科技的控制芯片通过了严苛的条件与环境测试，能提供高可靠性、兼容性和优越的读写性能。

图2：横宇科技股份有限公司固件开发一部资深工程师宋威良（右）。
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横宇公司的竞争力在于，其硬件设计人员主要由来自台湾知名IC设计公司的人员组成，在SoC设计上的经验丰富，并率先采用了晶圆代工厂低功耗的55纳米工艺。在闪存控制芯片产业，固件设计是影响性能和兼容性的关键。固件研发人员的经验及对闪存特性的了解，对产品的成功与否扮演着重要的角色。横宇固件设计成员多为有闪存控制芯片相关资历的成员。系统设计人员在系统开发领域也有多年设计和管理经验。除整备系统验证环境外，横宇还建立了自动化测试环境，可以节省一半以上的系统研发人力。 宋威良指出，闪存在使用一段时间后读写速度会下降，每一家闪存控制器厂商都有自己的算法，让读写速度保证在用户不会察觉的程度。“比如32GB内存中有1GB存放开机数据，当开机次数变多后，这个区域的速度就会变慢。各个厂家都有自己的算法去进行调整，让用户感觉不到。”他解释说。 最后，他认为，eMMC在两年后将会被UFS取代掉。“UFS和eMMC的接口不一样，速度比eMMC要快很多，现在三星已经有了产品。eMCP则不一定被取代，因为eMCP是DRAM+NAND，这样的需求会不确定。eMCP的优势是面积小，能够节省PCB板面积。很多手机和平板采用的都是eMCP。”

图3：横宇公司产品线路图。
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