1968年6月4日，IBM TJ Watson研究中心的RobertDennard博士提出的单晶体管DRAM单元以及三晶体管单元基本设计获得了专利授权。
Dennard的工作在IBM网站上有概要描述，介绍了他是怎样受到磁存储器的简单性以及当时使用金属氧化物半导体晶体管存储器所做工作的启发。
在Dennard获得专利授权后不久，英特尔就采用三晶体管单元设计成功制造出了一个1kb DRAM芯片，而其它制造商也在20世纪70年代中期采用单晶体管单元生产出了4kb 芯片。
根据这项专利（美国专利号3,387,286，场效应晶体管存储器）介绍，“存储器是由存储单元阵列构成的，这些存储单元通过与其相连的字线和位线的读写操作来控制。”可参阅下面的两个图来了解该专利的原理。
图1示出了一个存储器的电气连接，图2示是图1电路的一个实际存储器单元的俯视图和截面图，其中存储单元是在单个基底上的集成电路中形成的。
当时正值个人电脑时代即将来临之际，Dennard博士的存储器设计对第一台台式电脑的问世起到了重要作用，这也为他赢得了1988年国家技术奖章，由当时的美国总统罗纳德里根亲自颁发。他还于1997年被列入全国发明家名人堂，并成为IBM Fellow。欲了解更多关于Dennard的信息，有条件的朋友可以观看IBM传记视频：
原文刊登在EDN美国网站，参考链接DRAM patent is granted, June 4, 1968，由Jenny Liao编译。
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