11月17日，华为海思麒麟960刚登上了央视，展示了通信（接受信息）和处理信息的两大能力。央视首次视频演示了华为在发布会上提到了14款常用应用打开速度测试，麒麟960的Mate 9在13款中击败三星Galaxy Note 7和iPhone 7 Plus。
同一天，Qualcomm Incorporated宣布，其子公司Qualcomm Technologies， Inc.（QTI）和三星电子有限公司延续双方十年之久的战略性晶圆代工合作，将采用三星10纳米FinFET制程工艺打造QualcommTechnologies最新款顶级处理器——Qualcomm®骁龙™835处理器。这是为 2017 年旗舰智能手机准备的芯片，只不过命名上与预期的 830 不同。
其实早在10月初的时候，三星就已经宣布开始量产全球第一枚 10 纳米工艺的移动处理器，如今这一消息获得了证实，确实是用于高通的下一代骁龙（Snapdragon）处理器。
高通为了发布 Snapdragon 835 处理器特别在纽约召开了小型新闻发布会，并在会上请来了三星，毕竟是最早一批采用了三星最尖端、最革命性的 10 纳米 FinFET 工艺技术的芯片，与之前 14 纳米 FinFET 工艺的芯片如 Snapdragon 820 或 821 相比，Snapdragon 835 性能和能效水平都会有显著的提升。
“骁龙 820/21 处理器已经拥有超过 200 款设计产品发布或正在开发中，骁龙 835 正是其后续产品。”高通产品管理高级副总裁 Keith Kressin 表示：“我们非常高兴继续与三星合作，共同开发引领移动行业的产品。全新 10 纳米制程节点的采用，预计将使我们顶级系列的骁龙 835 处理器带来更低的功耗与更高的性能，同时也让我们能够增加诸多全新功能，从而提升未来的移动终端用户体验。”
根据高通的新闻稿，在三星新10纳米FinFET工艺的帮助下，与其上一代14纳米FinFET工艺相比，新的骁龙芯片尺寸在减少了30%基础上，还能实现27%的性能提升或高达40%的功耗降低。这就意味着，全新的Snapdragon 835处理器的尺寸比之前更小，在顶图的实际展示中就能明显看出。
高通认为，更小的芯片能够让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间，以支持更大的电池或更轻薄的设计。而制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合，预计将会显著提升电池续航。
三星对自家的10纳米工艺赞赏不已，三星执行副总裁及晶圆代工业务主管 Jong Shik Yoon 表示：“我们很高兴有机会与高通进行密切合作，采用我们的 10 纳米 FinFET工艺生产骁龙 835。作为我们晶圆代工业务的一项重要里程碑，此次合作显示了对于三星领先制程工艺的信心。”
目前基本已经确定三星将会在2017年2月份的MWC上发布这款旗舰产品——GalaxyS8，从时间上看，也符合骁龙835正式商用的日期。对于最近爆炸事件销量受到严重影响的三星而言，S8无疑是决定命运的一款手机，至少在盈利方面可谓十分积极的一面。
最后，高通证实，目前 Snapdragon 835 处理器已经开始量产，2017 年上半年搭载该处理器的中端产品即可出货。至于 Snapdragon 835 芯片的更多细节，高通表示未来几周时间里会正式公布。
高通这次没有披露具体架构，如果和文中一样，使用10nm的工艺较三星的14nm工艺，可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上，同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。那么使用和三星14nm相当的台积电 16nmFFplus工艺的Kirin 960在面世才一个多月，就已经被高通反超了。
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