近日,台积电方面透露，目前正在针对此前的16nm工艺进行改良，改良版很有可能将采用12nm工艺制程，这与台积电此前“计划推出一款由16nm改进而来的12nm制程工艺”的策略相符合。
但值得注意的是，台积电高层表示确实在研究类似的东西，但没有明确提及12nm，可能对于这个命名还不是很确定。
据爆料称，台积电即将推出的所谓的12nm，其实是现有16nm工艺的第四代缩微改良版本，改用全新名字，目的是反击三星、GlobalFoundries、中芯国际等对手的14nm工艺优势，牢牢控制10-28nm之间的代工市场。毕竟台积电新的10nm就要出来了，这时候再花精力去开发真正的12nm似乎是没有太大的意义。
28nm时代开始，台积电就不断改版来降低成本或提升性能，以求压制竞争对手，比如说28nm工艺就先后有28LP、28HP、28HPL、28HPM、28HPC、28HPC+等众多版本。
如今的16nm经过持续改良之后，漏电率大为降低，成本也有极大改善，为此台积电将其重新命名为12nm，摇身一变成为独立的新工艺，自然更加诱人。
代工工艺进入FinFET时代以来，台积电16nm、三星14nm可谓棋逢对手，其实都非常优秀，但无论是技术还是数字，台积电都略微落后一些，因此在16nm发展到第四代，线宽微缩能力领先三星之后，12nm的出炉也就可以理解了。
而这样的数字游戏在半导体行业由来已久，最开始是三星在与台积电的竞争当中抢先将推出了14nm（实际上20nm工艺），所以随后台积电随后也被迫跟进玩起了数字游戏，相比之下，一直被称为挤牙膏的英特尔在命名规则上就规矩多了。
此外，还有业内人士称，三星的14nm以及台积电的16nm等于英特尔的20nm，他们的10nm等于英特尔的12nm。看来台积电未来的7nm，也只比英特尔的10nm要好一点点。
12 nm工艺相比于现在的 16 nm来说，不仅拥有更高的晶体管集成度，而且在性能和功耗方面进一步优化，有较大的升级幅度。
芯片工艺往往决定着性能、功耗和发热等因素，而目前达到量产级别的最先进工艺已经来到了10nm级别，月初发布的骁龙835采用了三星10nm制程工艺，而今年即将发布的新款iPhone则会采用台积电10nm工艺。
目前已经有诸多信息表示，无论是台积电还是三星，在10 nm制程工艺上都遭遇到良率问题，而这也直接导致采用改工艺的高通骁龙835、苹果A10X、联发科Helio X30等移动芯片供货紧张，并且问题有可能会持续一整年。
台积电的16nm工艺已经发展了多个版本，包括FinFET、FinFET Plus等，若推出12 nm工艺，不仅可以在市场上缓解10 nm工艺带来的订单紧张问题，而且还可以市场营销上反击三星、GlobalFoundries、中芯国际等对手的14纳米工艺，避免订单的流失。
还无法确定该工艺的制程将何时开始应用，但目前摆在台积电面前的问题是，10nm工艺的良率还有待进一步提升，台积电的合作客户产品包括苹果A10X、A11、Helio X30、麒麟970等都存在一定的供需紧张问题。
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