根据Intel所说，未来3D XPoint闪存制造的产品速度远高于PCI-E、SATA接口的SSD，每通道6GB/s的带宽更接近内存。然而一直以来，Intel对于3D XPoint的内部架构设计和规格讳莫如深。
现在，产品有了，TechInsights的逆向工程师们将3D XPoint芯片放在显微镜下，发现了一些有趣的现象。
首先看看什么是3D XPoint技术。据知，3D XPoint技术之前的架构（Corss-point）舍弃了原来位存储晶体管（bit-storing transistors），采用栅状电线（a latticework of wires）电阻来表示0和1.而3D XPoint架构其实是一种大容量存储技术，虽然比DRAM要慢，但它比DRAM要便宜，比NAND要快，但是比NAND要贵，最重要的是它是非易失性的。所以，断电之后数据不丢失。
3D XPoint介于DRAM和NAND闪存之间，很有可能在企业级数据中心甚至消费级产品中引起变革。
首先来看存储内核面积。
3D XPoint居然完全不如当今的一众NAND闪存，别说3D立体式的，就连2D平面式的都赶不上，只是和Intel/美光的20nm MLC差不多。
好吧，容量其实根本就不是3D XPoint的长项。PCI-E固态硬盘首发容量才375GB，后续才会做到750GB、1TB，缓存盘样式更是只有16/32GB。
面积那么大，容量那么小，存储密度就可想而知了。
每平方毫米才0.62Gb，也是倒数行列，只有Intel/美光堆了64层的256Gb TLC NAND的七分之一。
经过计算得知，3D XPoint内核中有多达91.4％都被存储阵列所占据，而传统的NAND闪存最高也就84.9%，而三星的48层堆叠3D V-NAND更是不到70%。
当然，这也意味着3D XPoint有很大的潜力，Intel或许会慢慢克服新技术面临的障碍，逐步提高存储密度和容量。
另外可以确认，3D XPoint的制造工艺是20nm，这也是当今闪存界的主流。
如果对比DRAM内存的话，3D XPoint的存储密度还是相当可观的，相比典型的20nm DRAM要高出大约4.5倍，对比1xnm DDR4也要高出3.3倍左右。
然而，一个很重要的方面是：3D XPoint很快，超级快。
如今，内存和闪存存储在计算机上采用不同的接口。笔记本电脑用的通常是SATA或者PCIe口。DRAM或者系统内存由不同的插槽连接到CPU，这意味着两者有不同的接口和性能水平。
英特尔和美光都表示，在一个新的系统架构下，3D XPoint可以取代DRAM和NAND闪存。
因为，DRAM的时延降低到纳秒级，NAND闪存的时延为微秒级，尽管如此，还是硬盘快上上千倍。尽管没有看到性能标准，美光和英特尔表示3D XPoint的速度比较接近DRAM。
3D XPoint使用的材料很关键。NAND闪存的发展遇到了工艺上的瓶颈，晶体管不能再小了。当前，最小的工艺制程在10nm到20nm之间。NAND闪存厂商，像英特尔，美光，三星，闪迪和东芝都在搞3D NAND，他们有的最多堆叠了48层，以此来提高闪存的密度和容量。
3D XPoint存储阵列由许多垂直的传导器连接着1280亿个cell。每一个cell存储一个bit数据。紧凑的数据架构带来了高性能和高容量。
美光和英特尔的资料中写道：XPoint中，横跨两个堆叠存储层的每个die能存储128Gbit数据。未来或许通过横跨更多的层，或者采用传统的光刻间距扩展来提高die的容量。
如果一切进展顺利，3D XPoint或将成为引领存储变革的下一个爆发点。
此外，3D XPoint也不是完全全新的技术，之前的cross-point架构舍弃了原来位存储晶体管（bit-storing transistors），采用栅状电线（a latticework of wires）电阻来表示0和1。
Cross point架构采用基于ReRAM（或RRAM）的忆阻器概念（memory resistor concept），也叫作可能应用忆阻器（memristor）。电阻式存储（Resistive memories）已经在过去的几年中投入了生产。
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