据报道，英特尔（Intel）与镁光（Micron）之间维持了很长一段时间的 NAND 闪存开发与制造合作，将很快迎来终结 —— 两家公司将在 2018 年底或 2019 年初推出第三代 3D NAND Flash 之后分道扬镳。12 年前，英特尔和镁光成立了一家名叫 IMFT 的合资公司。在固态硬盘成为主流前，IMFT 开始生产基于 72nm 平面工艺的 NAND 颗粒。在历史上的大部分时间里，该公司一直是全球四大 NAND 闪存制造商之一。
两家公司的合作只涉及存储技术和制造领域，在共享闪存技术的基础上，两家公司是各自开发、以及向公开市场销售固态硬盘的。
对于即将面对的分道扬镳，其实并非没有先例。早在 2012 年的时候，英特尔就已经将自己持有的部分 IMFT 工厂股份转售给了镁光，只留下了最初联合拥有的犹他州莱希（Lehi）工厂。
自那时起，两家公司都各自建造了更多的厂区，但研发工作仍然围绕犹他州的这处设施展开。英特尔拒绝向最终的 16nm 平面型 NAND 节点投资，将这项任务完全抛给了镁光自己。与此同时，他们的第一代 3D NAND 也在开发之中。
两家公司在 NAND 闪存业务方面有着非常不同的侧重点：英特尔的颗粒几乎只给自家用，而镁光则慷慨地与第三方分享。英特尔主攻的是企业市场，近期多数消费级 SSD 的主控开发都外包了。
甚至在决定跳过 16nm IMFT 节点的时候（在自家 3D NAND 做好准备前并无成本优势），英特尔还为一些客户端和消费级 SSD 选用过从 SK 海力士那里采购来的 16nm NAND 闪存。
随着 59㎡ 的 256Gbit @ 64 层 3D TLC 闪存的推出，镁光在移动市场上表现出了越来越大的兴趣。尽管英特尔一直倾向于用更大的闪存芯片来支撑其企业级 SSD，但这一选项在智能机领域并不不是那么方便。
当然，即便有这些分歧，也不至于是压塌双方合作的最后一根稻草。AnandTech 指出，即将到来的制程挑战，可能是促使它们寻找截然不同的策略的主因。
英特尔和美光当前正在推出第二代 64 层 3D NAND 闪存，在第三代完成开发后，其很有可能会转向 96 层的设计。而要将层数增加到三位数，可能要在接下来的一两代中采用堆叠。
两家公司或许对何时在制造方式上作出改变上有些分歧，还有一种可能是，其中一方想要将 3D 浮动栅极架构、换成更类似于三星等 3D NAND 厂商的电荷陷阱式设计。
这一举措将对两家公司的战略产生重大的影响，其中一方不得不完全承认失败。有迹象表明，在 2D 到 3D 转进的过程中，浮动栅极已经开始成为一个障碍。
然而截至目前，两家公司都没有表现出任何技术变革的迹象。在此之前的几年时间里，这种改变随时可能发生，并根据对方采取的方法来判断。
也有一种可能是，两家公司的 NAND 闪存技术，会在未来更多代产品上保持大同小异。不过分道扬镳之后，并不会影响 IMFT 的 3D XPoint 存储技术的开发与制造。
目前只有英特尔将 3D XPoint 产品推向市场（比如傲腾闪存），而镁光这边的 QuantX 仍属于处于真空状态。不过除了声明继续联合开发 3D XPoint 之外，镁光今日没有透露有关这项技术的后续计划。
（来源：Intel & Micron；企鹅号编译自：AnandTech）
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