为快速成长的人工智能(artificial intelligence；AI)应用实现高效率的运算性能，必须解决“内存墙”(memory wall)的瓶颈，并推动新的架构解决方案；这是法国CEA Tech旗下技术研究机构Leti关注的重点领域。
Leti执行长Emmanuel Sabonnadiere在Leti年度创新会议上接受《EE Times》访问时表示，业界需要一种高度整合的整体途径，将AI从软件和云端移至边缘(edge)的嵌入式芯片。
Sabonnadiere说：“边缘确实需要一些创新，采用除了CMOS以外的不同架构，从结构上整合至系统，并从云端实现自主性——例如针对自动驾驶车，您需要云端尽可能地独立作业。”
他认为恩智浦(NXP)可望成为驱动在边缘实现更多运算的一项关键指标，因而针对高通(Qualcomm)并购恩智浦一案发表评论：“你觉得高通为什么要买下恩智浦？它是为了(边缘运算)的感测，而将数位置于感测之后。”
为了解决运算架构典范，Sabonnadiere期望能在Let与史丹佛大学(Stanford University)电气工程和计算机科学系教授Subhasish Mitra带领的团队合作中取得一些突破。Mitra的研究已经进展一段时间了，专注于为庞大资料和密集互连应用探索内存内处理(processing-in-memory)的新架构。这项研究获得了美国国防部先进研究计划局(DARPA)、国家科学基金会(NSF)、Semiconductor Research、STARnet SONIC和史丹佛大学SystemX联盟的成员公司共同资助。
Sabonnadiere谈到芯片验证时说：“我们深信这是解决『超越摩尔定律』(more-than-Moore)挑战的前进方向，并且已经要求Mitra教授打造这一研究展示了。”
在会议上，Mitra表示，庞大的资料超级风暴正袭卷而来，而其运算需求远超过处理能力，因此必须使用支持先进3D整合的运算奈米系统架构。
Mitra说：“数据必须经过处理才能创造决策，但目前还有太多我们无法处理的『暗黑』数据。以Facebook为例，它必须采用256个Tesla P100 GPU，才能在1小时训练好ImageNet，这在以前大约需要几天的时间。”
那么目前提高运算性能的选择是什么？Mitra说，其一是要有一个更好的逻辑开关——但这方面的实验展示并不多。第二种是使用设计“技巧”，例如多核心、加速器或电源管理技巧。但他也补充说，可用的技巧并不多，而且当实施这些技巧而使设计变得更复杂，甚至会使验证变得更困难。另一个挑战则是Mitra所谓的“内存墙”。
Mitra说：“各种类型的庞大数据应用中，一个共同点就在于内存墙——系统需要更有力地存取内存。”
Mitra说，这就是专注于内存的运算概念所在，也是与Leti合作的关注重点——Sabonnadiere希望将在这方面取得突破。它使用先进3D整合使得运算更接近于数据。该芯片采用碳奈米管(CNT)，因为Mitra表示它们是唯一可以超越CMOS和电阻式随机存取内存(RRAM)的技术。
RRAM和碳奈米管彼此垂直建构，形成具有逻辑层和内存层交错的密集3D计算机架构。在这些分层之间插入超密走线，应该就能以这种3D架构解决通讯的瓶颈。
Mitra将这个问题比喻为从旧金山(San Francisco)到加州柏克莱(Berkeley)之间的交通挑战——由于只有三座桥梁可以穿越两个都市，因而造成了交通堵塞。然而，如果打造更多的桥梁——或者在他提出的3D架构情况下，就能够解决多奈米级交错层间过孔的瓶颈。
Leti首席科学家Barbara De Salvo表示，业界并未充份重视新兴内存技术，这些技术通常仍被视为利基技术。
De Salvo说：“在内存领域，业界仍持续采用传统技术。而像电阻式RAM、磁阻式RAM和相变内存等新兴技术仍未被充份利用。但它可望在实现新型架构方面带来巨大突破。”De Salvo并补充说，在未来几年，在软件中使用深度学习和AI也可能中在运算方面取得重大突破。
她说：“我指的是一个使用深度学习和机器学习来开发软件的新概念。软件是一个系统中最昂贵的部份之一。透过使用深度学习产生软件，以前需要花六个月的一些任务现在可以只需要几天的时间。”
(参考原文：Addressing ‘Memory Wall’ is Key to Edge-Based AI，by Nitin Dahad，EET Taiwan Susan Hong编译)
最前沿的电子设计资讯
