继台积电后，三星在官网上宣布，已经成功完成了5nm EUV开发，并且相应的样品已经给客户送去，而由于加入了EUV（极紫外线光刻）技术，在更先进工艺制程加持下，可以让芯片拥有更好的功耗和性能。
新工艺下的表现是怎么样的呢？三星强调，与7nm相比，三星的5nm FinFET工艺技术将逻辑区域效率提高了25%，功耗降低了20%，性能提高了10%，从而获得更多创新的标准单元架构。与7nm LPP一样，三星的5nm制程在光刻中使用了EUV技术，并减少了掩模层，同时提供更好的保真度。
三星表示，5nm的另一个主要优点是可以将所有7nm专利应用到5nm。因此，7nm客户过渡到5nm将极大的降低成本，预先验证的设计生态系统，能够缩短他们5nm产品的开发时间。
随着格芯（GF）、联电的退出，目前能够做7nm以及更先进工艺晶圆的厂商就只剩下了三星、台积电和Intel，但由于Intel其晶圆厂产能问题，因此Intel并不和台积电直接竞争，那么三星在10nm节点以下的唯一对手就剩台积电了，但在本月初，台积电就已经宣布了其5nm工艺已经进入试产阶段，相比之下三星的脚步还是慢了一拍。
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