还有一个最重要的点
这个光刻的方法绝壁是个黑科技一般的点! 直接把Lamda缩小了一个量级, With no extra cost! 你们说吼不吼啊!
Food for Thought: Wikipedia上面关于掩膜的版面给出了这样一幅图, 假设用这样的掩膜最后做出来会是什么形状呢?
最终成型大概长这样:
其中, 步骤1-15 属于 前端处理 (FEOL), 也即如何做出场效应管
步骤16-18 (加上许许多多的重复) 属于后端处理 (BEOL) , 后端处理主要是用来布线. 最开始那个大芯片里面能看到的基本都是布线! 一般一个高度集中的芯片上几乎看不见底层的硅片, 都会被布线遮挡住.
SOI (Silicon-on-Insulator) 技术:
传统CMOS技术的缺陷在于: 衬底的厚度会影响片上的寄生电容, 间接导致芯片的性能下降. SOI技术主要是将 源极/漏极 和 硅片衬底分开, 以达到(部分)消除寄生电容的目的.
传统:
SOI:
制作方法主要有以下几种(主要在于制作硅-二氧化硅-硅的结构, 之后的步骤跟传统工艺基本一致.)
1. 高温氧化退火:
在硅表面离子注入一层氧离子层
等氧离子渗入硅层, 形成富氧层
高温退火
成型.
或者是2. Wafer Bonding(用两块! )
不是要做夹心饼干一样的结构吗? 爷不差钱! 来两块!
来两块!
对硅2进行表面氧化
对硅2进行氢离子注入
翻面
将氢离子层处理成气泡层
切割掉多余部分
成型! + 再利用
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