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光刻3hfednc
离子注入3hfednc
微观图长这样: 3hfednc
再次光刻+蚀刻3hfednc
撤去保护, 中间那个就是Fin3hfednc
门部位的多晶硅/高K介质生长3hfednc
门部位的氧化层生长3hfednc
长成这样3hfednc
源极 漏极制作(光刻+ 离子注入)3hfednc
初层金属/多晶硅贴片3hfednc
蚀刻+成型3hfednc
物理气相积淀长出表面金属层(因为是三维结构, 所有连线要在上部连出)3hfednc
机械打磨(对! 不打磨会导致金属层厚度不一致)3hfednc
成型! 3hfednc
连线3hfednc
转载整理自知乎《芯片里面有几千万的晶体管是怎么实现的?》@呆涛 的答复。3hfednc