近日，EDN记者从Soitec处得到一个振奋的消息：FD-SOI晶圆的出货量今年大约是去年同时期的5倍。
作为FD-SOI晶圆的主要供应商，Soitec这一数字反映了该技术的热度。
在在第七届上海FD-SOI论坛期间，Globalfoundries透露2019年FD-SOI产能爬坡，并预计公司在年底前会出货一亿片22FDX芯片。目前该公司22FDX出货产品类型有26种，其中一半以上来自中国客户。
三星虽然没有透露其具体的FD-SOI出货量，但指出2019年已有超过20款产品在大批量生产中，从下图中猜测应该是包括消费电子11款、IoT和可穿戴各4款、汽车/工业2款。
28nm FD-SOI工艺已经成熟量产，18nmFD-SOI也在按计划前进，且保证了128Mb SRAM的良率。
论坛期间有不少公司分享了自己的产品，类型横跨IoT、AIoT、汽车等。
1. ST的基于FD-SoI 28nm工艺的内置ePCM NVM的汽车MCU
“过去我们采用CMOS会有一些瓶颈，用户的预期是希望能提供更高性能及更低成本。”ST汽车市场及应用资深市场经理刘山林指出，“所以需要突破性的技术。在汽车领域，我们有两方面的主要的技术提升，一方面把FD-SOI工艺用到汽车MCU上，突破目前在CMOS上的瓶颈；另一方面是PCM，在NVM方面找到新的技术突破点。”
FDSOI在汽车中的应用，ST是早期的一个发起者。刘山林指出显而易见的好处有三个方面：功耗，模拟/RF设计，鲁棒性——这是作为汽车MCU比其他应用要求更高的地方。
刘给出了ST在鲁棒性测试的实验数据，如下图所示，从过去65nm，45nm到现在用28nm FDSOI，从出错统计来说，大大降低，这是FD-SOI用于汽车的独特优势。这款产品2018年样产，现已进入汽车中要求较高的汽车控制系统领域。
另外，EDN记者还发现关于上图中提到的FD-SOI的Radiation，据称中国科学院上海微系统与信息技术研究所(SIMIT)有个团队在专做这方面的研究。
汽车应用中不断增加的数据流需要更高性能和更大容量内存的MCU，嵌入PCM NVM的28nm FD-SoI技术非常适合这个需求，刘光林指出，“另外，汽车MCU分不同等级，如娱乐85度/发动机150度，我们的目标是auto grade0，给汽车电子系统带来革新。”
2. NXP采用FD-SOI技术助力汽车、工业和物联网解决方案
100pJ的能量能做什么？NXP副总裁兼总经理Ron Martino分享了下面一组数据，展示了不同处理器的算力、不同存储的存储容量，以及不同无线技术的传输能力。
Martino指出i.MX ULP采用FD SOI28nm工艺，大大延长了电池时间。
i.MX RT面部识别如今成本低至2美金，可以在250毫秒内检测和识别人脸：
3. Sony的采用FD-SoI eMRAM技术的低功耗物联网产品
Sony的第一款FD-SOI产品是用于手表的GNSS，过去的三年当中，由于低功耗被很多消费者选择。
尤其是采用CXD5605GF工艺后，达到了6mW的功耗。
对于不同嵌入式内存的对比，Sony半导体总经理Kenichi Nakano给出了下表，可以看到eMRAM在28nm时仅增加3层，最具成本效益：
Nakano指出eMRAM的良率现在已经达到97%以上。
三星和Globalfoundries在论坛期间均指出自己的eMRAM都已达批量生产，其中Globalfoundries还透露已经做到48Mb以上。
4. 瑞芯微内置高能效NPU的AIoT芯片
“智能手机吃掉了很多其他智能设备的市场，所以IoT的应用是被压缩的。” 瑞芯微电子高级副总裁陈锋指出。
他举例英特尔的IoT事业部，有大约50亿美金的收入，放在英特尔600亿美金的体量中不算什么——当然放在A股至少会有5000亿估值。除了手机，在AIoT领域还是很难做个芯片能有一亿颗的规模。
所以对分散化的IoT市场，每芯片只能卖2-3刀，如何选择？Finfet实现起来太费劲了，FD SOI给了这个领域一个很好的选择。
瑞芯微的RK1808采用采用22nm FD-SOI工艺，相同性能下功耗相比主流28nm工艺可降低30%左右；内置2MB系统级SRAM，可实现always-on设备无DDR运行。
5.芯原物联网IP
IoT芯片价格下降速度非常快。
芯原物联网互联平台总监曾毅举例NB IOT芯片，在2016能卖5美元，现在是1美元；Lora芯片在3年前是3美元，现在1.4美元。这些价格不是受最新技术影响的，而是靠竞争影响的，大家没法差异化盈利，他指出。
大家都认为IOT设备应该比手机便宜，这种想法是不对的。“我们认为IOT行业特别需要技术创新，特别对于芯片和网络。实际上需要一些根本性的创新，对于架构来说，RISC-V是一个很好的案例，用于先进的处理器节点，以推动系统架构和处理器升级。” 曾毅指出。
另外曾毅认为基于平台的服务会推动行业发展，以实现定制化。
BLE IP 该IP是经过RF测试芯片验证的，整个系统也通过了BQB认证。和55nm Bulk
CMOS工艺相比，面积减少40%，功耗减少30%；与市场平均水平相比性能提高5db以上。
NB-IOT RF IP 该架构是针对FD-SOI优化过的，且在22nm FD-SOI工艺上得到了验证。且包括基于ZSPnano核的NB IOT数字BB IP，是个单核的解决方案。
GNSS RF IP 这是基于GF22FDX工艺的，且集成了LNA。
曾毅指出，对于NB IOT 和LPWAN来说，主要的限制是功耗，而FD-SOI可以提供极低功耗的解决方案，”例如运算电压能做到0.8v左右，甚至低至0.65v，绝缘体寄生噪声也很少，所以可以用小电流实现，越来越低的电流可以减少漏电。”
6. 云天励飞和Synaptics
云天励飞和Synaptics虽然没有到场，但为其代工的Globalfoundries披露了采用22FDX工艺的云天的“深目”——实现20倍性能提升，100倍能效及200倍更低延时；Synaptics的采用体偏置工艺的IoT产品也已在样产。
诚然FD-SOI这几年取得了很不错的进展，IBS的分析也指出FD-SOI是大多数物联网应用的最佳选择， 另外FD-SOI在28nm、22nm、14nm和12nm晶体管成本与bulk CMOS和FinFET相当，但通过更低的掩膜步骤实现了成本竞争力。
但IBS首席执行官Handel Jones指出FD-SOI没有特别成功的原因，“主要是IP生态系统没有成熟，所以大家的接纳需要更长的时间，有了成熟的IP生态系统的话，中国会有特别竞争优势，那些Finfet 28nm没法实现的应用能用FD-SOI实现。”
Dolphin中国去销售总监Ying Zhao表示在22nm有越来越多的IP已经加入这个生态系统，Dolphin已经促进了自动的体偏置IP，这是实现节能的关键IP。从生态系统的角度来说，FD-SOI非常有潜力的，但从系统角度来说需要进一步丰富更多有价值的IP，比如集成的IP包。
“要吸引工程师将设计转移到FD-SOI上来，不仅是IP生态系统要好，工程师还需要看到未来几个节点的持续性发展计划。”Cadence南京子公司南京凯鼎电子科技有限公司总裁王琦博士认为，工程师肯定不愿意未来自己的设计还要改回去。所以从研发角度，毫无疑问，FD-SOI有很多优势，但挑战是技术本身的接受度不够广，全球范围内的使用也不够大。
IBS的分析认为：“向12nm的迁移是可行的，迁移到10nm也是有可能的，关键要求是建立强大的设计生态系统，拥有广泛的IP。”
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