随着物联网的不断发展，数以百万计的互联网连接设备应运而生，因此数据中心的运营商都在致力于跟上数据传输方面的要求。他们必须寻求各种方式来满足数据和存储上日新月异的需求，同时确保服务质量、降低成本。对于许多的数据中心运营商来说，降低功耗都是他们的首当要务，从而降低运营费用。双数据速率 5 内存，其官方简称为 DDR5，目标就是提供数据中心所需的增强性能以及功率管理功能，为 400GE 的网络速度提供良好支持。
与上一代的 DRAM 技术相比，新型JEDEC DDR5在提升功率效率方面进行了升级。根据计划，DDR5 将提供两倍于 DDR4 的带宽和密度，同时还改善了信道的效率。这些增强功能与针对服务器和客户端平台而提供的更加易用的接口结合到一起，将在一系列广泛的应用中实现极高的性能并改进功率管理。
不管怎样，一些主要的制造商很快即将发布他们的首款 DDR5 内存模块，将更高的带宽和更低的功耗带入市场。新模块将引入新一代的高速内存，从而取代现有的标准。
与 DDR4 技术相比，DDR5 改善了性能并且提高了功率效率，因此，对紧凑而又稳健的 DIMM 插槽的需求比以往任何时候都要重要，以便为这种新技术提供支持。莫仕的 DDR5 DIMM 插槽比 DDR4 时代的产品更加紧凑，缩小了整体尺寸与高度，此外还具有防屈曲功能，实现平稳的模块插入并提供冠形的触点，防止触点断裂。
DDR5 DIMM 插槽的带宽和密度比 DDR4 提升了一倍，可以提供 6.4 Gbps 的速度，高度降低后的底座面可以节省更多的印刷电路板空间与纵向空间。随着 DDR5 的推出，DDR4 和 DDR5 的针数保持相同。这两种 DIMM 都含有 288 个插针。此外，DDR4 和 DDR5 的螺距也相同。除了增加了速度以外，在整体尺寸和模块卡的厚度上存在着一些区别。DDR5 插槽连接器的尺寸要短于 DDR4。对于模块卡的厚度来说，DDR4 为 1.40+/-0.1 毫米，而 DDR5 将厚度减少至1.27+/-0.1 毫米。至于底座面，将从 DDR4 的最大 2.4 毫米缩减为 DDR5 的 2.0 毫米最大值。
当需要迁移到 DDR5 时，设计人员应当牢记几个特定于插槽连接器的主要考虑因素。DDR5 插槽采用了键控功能来防止插入 DDR4 模块，而且 DDR4 模块在 DDR5 中无法工作，反之亦然。
DDR5 的确需要更高的速度。如果采用 SMT 端接，那么在工艺上可能会存在挑战，与 TH 或 PF 端接方式相比或许更难以加工。CTE 与印刷电路板的不匹配会造成连接器的动态翘曲。
随着自动模块插入工艺的到来，使用一种稳健的 DDR5 连接器就变得更加关键。莫仕的 DDR5 插槽在插锁塔上配有一片金属，改善了机械强度。
DDR5 采用的模块卡更重一些，并且模块重量可能会从 50 克增至 65 克。因此，需要考虑采取良好的措施，以机械方式将连接器保持固定在印刷电路板上。
在寻求推进到 DDR5 的过程中，需要牢记几个方面。请考虑使用一种具有防断裂触点的连接器，可以实现稳健的配对接触效果并确保电气上的可靠性。无卤耐高温的尼龙外壳可以支持较高的回流温度，同时提供环境上的可持续性。耐振动耐冲击焊片在条件苛刻的操作过程中可提供最优的性能以及牢固的印刷电路板保持效果。此外，插槽上的金属嵌件支持严格的闭锁操作，同时可对插锁塔进行强化。人体工程学设计的稳健的插锁在闭锁过程中以及模块卡释放时可改善撕扯力以及抗振性。为了解决插针压碎的问题，可以寻求使用设计良好的端子与外壳。
对于 DDR5 上的其他考虑事项，动态翘曲可能是一个需要关切的问题。在加工方面，与 TH 端接方式相比，SMT 端接将更具挑战性，并且更加困难。必须妥善的控制装配工艺，同时设计与外壳材料的选择也极其重要。经优化的成型工艺可以降低外壳内积聚起的内部应力。
随着数据中心内的速度不断提升，DDR5 将成为一个理想的选择，为这种速度上的提升提供支持。DDR5 插槽的生产正在稳步增长，并且将在下一年保持这一增长势头。
莫仕提供种类广泛的内存连接器，符合有关 DIMM（双列直插内存模块）和 SIMM（单列直插内存模块）的 JEDEC 行业标准要求，并且还为笔记本电脑、台式机、工作站、服务器、存储及通信应用提供定制的内存模块。莫仕的内存储器产品提供范围从最老式的 SIMM 直到最新型的 DDR5 在内的、一系列广泛的技术平台。每一产品族都由众多不同的选项组成，满足客户应用的各种需求。
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