有限且不断缩小的电路板空间、紧张的设计周期、严格的电磁干扰(EMI)规范(例如CISPR 32和CISPR 25)等相关限制因素，不断提高着取得具有高效率和良好热性能电源的难度。在整个设计周期中，基本上电源设计通常是处于设计过程的最后阶段，设计人员需要努力地将复杂的电源挤进更紧凑的空间，而这使问题变得更加复杂，也非常令人沮丧。
为了按时完成设计，设计者只能在性能方面做出妥协，把问题丢给测试和验证环节去处理。而简单、高性能和解决方案尺寸这三项考虑因素通常相互冲突，尤其是当设计期限接近时，就只能优先考虑一、两个而放弃第三个。如此看来，牺牲一些性能已经变得司空见惯了，但其实不应该是这样的。
本文首先概述在复杂的电子系统中电源所带来的严重问题：即EMI，通常简称为噪声。电源会产生EMI，必须加以解决，那么问题的根源是什么？通常有何解决措施？本文并将介绍减少EMI的策略，提出一种解决方案来减少EMI、保持效率，并将电源放入有限的解决方案空间中。
电磁干扰会干扰系统性能的电磁讯号。这种干扰透过电磁感应、静电耦合或传导来影响电路。它对汽车、医疗以及测试与测量设备制造商而言都是一项关键的设计挑战。上面提到的许多限制和不断提高的电源性能要求(功率密度增加、切换开关频率更高以及电流更大等)只会扩大EMI的影响，因此极需解决方案来减少EMI。许多产业都要求必须满足EMI标准，如果在设计初期不加以考虑，那么将会严重影响产品的上市时间。
EMI是电子系统中的干扰源与接收器(即电子系统中的一些组件)耦合时所产生的问题。EMI按其耦合介质可归类为：传导或辐射。
传导EMI(低频，450kHz至30MHz)：传导EMI透过寄生阻抗以及电源和接地连接，以传导方式耦合到组件。噪声透过传导传输到另一个组件或电路。传导EMI可以进一步分为共模噪声和差模噪声。
共模噪声透过寄生电容和高dV/dt (C × dV/dt)进行传导。它透过寄生电容沿着任意讯号(正或负)到GND的路径传输，如图1所示。
差模噪声透过寄生电感(磁耦合)和高di/dt (L × di/dt)进行传导。
图1：差模和共模噪声。
辐射EMI(高频，30MHz 至1GHz)：辐射EMI是透过磁场能量以无线方式传输到待测组件的噪声。在切换开关电源中，该噪声是高di/dt与寄生电感耦合的结果。辐射噪声会影响邻近的组件。
解决电源中EMI相关问题的典型方法是什么？首先，确定EMI就是一个问题。这看似很显而易见，但是确定其具体情况可能非常耗时，因为它需要使用EMI测试室(并非随处都有)，以便对电源产生的电磁能量进行量化，并确定该电磁能量是否符合系统的EMI标准要求。
假设经过测试，电源会带来EMI问题，那么设计人员将面临透过多种传统的校正策略来减少EMI的过程，其中包括：
以上所有制约措施都可以减少噪声，但是它们也都存在缺陷。最大限度地减少电源设计中的噪声通常能够彻底解决问题，但却很难实现。ADI的Silent Switcher和Silent Switcher 2稳压器在稳压器端实现了低噪声，从而无需额外的滤波、屏蔽或大量布局迭代。由于不必采用昂贵的反制措施，加快了产品上市时间并节省大量的成本。
为了减少EMI，必须确定电源电路中的热回路(高di/dt回路)并减少其影响。热回路如图2所示。在标准降压转换器的一个周期内，当M1关闭而M2打开时，交流(AC)电流沿着蓝色回路流动。在M1打开而M2关闭的关闭周期中，电流则沿着绿色回路流动。产生最高EMI的回路并非完全直觉可见，它既不是蓝色回路也不是绿色回路，而是传导全切换开关交流电流(从零切换到IPEAK，然后再切换回零)的紫色回路。该回路称为热回路，因为它的AC和EMI能量最大。
导致电磁噪声和切换开关振铃的是切换开关稳压器热回路中的高di/dt和寄生电感。要减少EMI并改进功能，需要尽量减少紫色回路的辐射效应。热回路的电磁辐射骚扰随其面积的增加而增加，因此，如果可能的话，请将热回路的PC面积减小到零，并使用零阻抗理想电容便可以解决该问题。
图2：降压转换器的热回路。
虽然不可能完全消除热回路区域，但是我们可以将热回路分成极性相反的两个回路。如此可以有效地形成局部磁场，这些磁场在距IC任意位置都可以有效地相互抵消。这就是Silent Switcher稳压器背后的概念。
图3： Silent Switcher稳压器中的磁场抵消。
改善EMI的另一种方法是缩短热回路中的导线。这可以透过放弃将芯片连接至封装接脚的传统键合线方法来实现。在封装中倒装硅芯片，并添加铜柱。透过缩短内部FET到封装接脚和输入电容的距离，可以进一步缩小热回路的范围。
图4： LT8610键合线的拆解示意图。
图5：带有铜柱的倒装芯片。
图6显示了使用Silent Switcher稳压器的一个典型应用，可透过两个输入电压接脚上的对称输入电容来识别。布局在该方案中非常重要，因为Silent Switcher技术要求尽可能将这些输入电容对称布置，以便发挥场相互抵消的优势。否则，将丧失Silent Switcher技术的优势。当然，问题是如何确保在设计及整个生产过程中的正确布局。答案就是Silent Switcher 2稳压器。
图6：典型的Silent Switcher应用原理图及其在PCB上的外观。
Silent Switcher 2稳压器能够进一步减少EMI。透过将电容(VIN电容、INTVCC和升压电容)整合到LQFN封装中，消除了EMI性能对PCB布局的敏感性，从而可以放置到尽可能靠近接脚的位置。所有热回路和接地层都在内部，从而将EMI降至最低，并使解决方案的总占板面积更小。
图7：Silent Switcher应用与Silent Switcher 2应用方块图。
图8：去封的LT8640S Silent Switcher 2稳压器。
Silent Switcher 2技术还可以改善热性能。LQFN倒装芯片封装上的多个大尺寸接地裸露焊垫有助于封装透过PCB散热。消除高电阻键合线还可以提高转换效率。在进行EMI性能测试时，LT8640S 能满足CISPR 25 Class 5峰值限制要求，并且具有较大的裕量。
借助开发Silent Switcher产品组合所获得的知识和经验，并配合使用现有的广泛µModule产品组合，可使电源产品易于设计，同时满足电源的某些重要指针要求，包括热性能、可靠性、精度、效率和良好的EMI性能。
图9所示的LTM8053整合可实现磁场抵消的两个输入电容以及电源所需的其他一些被动组件。所有这些都透过一个 6.25mm × 9mm × 3.32mm BGA封装实现，让客户可以专心地完成电路板的其他部分设计。
图9：LTM8053 Silent Switcher外露芯片及EMI结果。
典型的高速ADC需要许多电压轨，其中一些电压轨噪声必须非常低才能实现ADC数据表中的最高性能。为了在高效率、小尺寸板空间和低噪声之间达成平衡，普遍接受的解决方案是将切换开关电源与LDO后置稳压器结合使用，如图10所示。切换开关稳压器能够以更高效率实现更高的降压比，但噪声相对也较大。低噪声LDO后置稳压器效率相对较低，但它可以抑制切换开关稳压器产生的大部分传导噪声。尽可能减小LDO后置稳压器的降压比有助于提高效率。这种组合能产生干净的电源，从而使ADC以最高性能运行。但问题在于，多个稳压器会使布局变得更为复杂，并且LDO后置稳压器在较高负载下，可能会衍生相关散热问题。
图10：为 AD9625 ADC供电的典型电源设计。
图10所示的设计显然需要进行一些权衡取舍。在这种情况下，低噪声是优先考虑事项，因此效率和电路板空间必须做些让步，但，也许不必如此。最新一代的Silent Switcher µModule组件将低噪声切换开关稳压器设计与µModule封装相结合，其能够同时实现易设计、高效率、小尺寸和低噪声的目标。这些稳压器不仅尽可能地减少了电路板的占用空间，而且实现了可扩展性，其可使用一个µModule稳压器为多个电压轨供电更进一步节省了空间和时间。图11显示了使用LTM8065 Silent Switcher µModule稳压器为ADC供电的电源树替代方案。
图11：使用Silent Switcher µModule稳压器为AD9625供电，可节省空间的解决方案。
这些设计都已经过相互测试比较。ADI在最近发表的一篇文章对使用图10和图11所示电源设计的ADC性能进行了测试和比较。测试包括以下三种配置：
测得的SFDR和SNRFS结果显示，LTM8065可用于直接为ADC供电，并不会影响ADC的性能。这个建置方案的核心优势是能大幅减少组件数量，从而提高了效率，不但可简化生产，并同时能减少电路板的占位空间。
总之，随着更多系统级设计需要满足更加严格的规范，尽可能充分利用模块化电源设计变得至关重要，尤其是在电源设计专业经验有限的情况下。由于许多分众市场要求系统设计必须符合最新的EMI规范要求，因此将Silent Switcher技术运用于小尺寸设计，同时借助µModule稳压器简单易用的特性将可大幅缩短产品上市时间，同时还可以节省电路板空间。
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