不久前，我介绍了一种接近零偏移的Chebyshev低通滤波器。有网友提出了两条评论，它们看似合理，但事实并非如此。
首先来看一下原始电路及其滚降特性（图1）。
图1：这是本系列第3部分中介绍的有源低通Chebyshev滤波器。
接下来先来看第一条评论，以及遵循该建议有什么不利后果。这条评论的部分内容是：“为什么不直接将82nF接地？”
图2：这种变化会对低通滤波器产生不利影响。
不将82nF（0.082µF）接到运算放大器的输出，而是将其直接接地，会完全破坏预期的频率响应（图2）。修改后的电路甚至不再是有源滤波器。
重新来看原始电路，但是将示波器的垂直位置向下移动（图3）。一会儿就能明白为什么。
图3：这是原始电路，但是对示波器上的垂直位置做了向下移动。
下面看另一条评论，它也会带来不利后果：“这个是Sallen-Key电路，增加了一个实轴（无源）极点（C1/R1）。我注意到它的阻抗与下一个电路（R2/C2）的阻抗处于同一数量级。由于这两个电路之间有相互作用，因此这种做法不好。在这种情况下，一种改进方法是将R1更改为1.21K，将C1更改为100nF，这样就可以最大程度降低这种相互作用。”
图4：这个建议会导致滚降特性出现不期望的峰值。
在这种情况下，所建议的更改会导致滚降特性中出现一个非常大的不期望的峰值（图4）。
这两种情况下，都没有对所提供的建议进行严格的分析。我认为，这种性质的电路不容易凭直觉来表征。要么必须通过代数运算求取精确的传递函数，要么必须使用一种或另一种SPICE工具进行仿真。
不明智地说，如果使“这些”值比“那些”值大得多或小得多，那么就不用担心会有任何的相互作用了。这很有可能。
（原文刊登于EDN美国版，参考链接：Zero offset active lowpass filter, part 4）
本文为《电子技术设计》2020年4月刊杂志文章，版权所有，禁止转载。免费杂志订阅申请点击这里。
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