将剩余硅胶也清理掉，取下变压器两侧的绝缘支撑架。
正面输入侧是多颗2220封装的高压MLCC滤波，由于对体积的极致追求，这款充电器内部没有采用传统的圆柱形高压电解电容来滤波，并且内置钳位二极管做初级侧过压保护，防止过压击穿电容和GaN开关管。
PCB板背面一览，中心区域镂空放置平面变压器，充分利用内部空间进一步降低机身厚度。
实际上充电器内部由输入输出端小板、变压器小板和光耦反馈小板三部分组装而成。并且采用了典型的开关电源宽范围输出，由协议芯片控制输出电压的架构。拆掉光耦小板，电路板上有POWERLAND的Logo，由博兰得参与设计。下面我们就从输入端开始了解各元器件的信息。
输入端一览，侧面可以看到电路板上元器件高度都是非常低的。
输入延时保险丝，3.15A 250V。
工字电感，用于输入滤波。
共模电感，用于输入滤波。
背面的一颗X电容，2220封装，来自村田Murata。
丝印WRMSB40M整流桥来自深圳市沃尔德实业有限公司。WRMSB40M这颗软桥通过较软的恢复曲线，比较平滑的关断特性，可以降低二极管结电容达到非常少的谐波振荡产生的效果。
沃尔德WRMSB40M详细资料信息。
这一面可以看到初级采用的滤波电容是村田Murata KRM高压MLCC系列，金属端子将两个电容并联提高容量，采用村田这种金属端子的高压MLCC滤波电容，既可以抑制噪声，又可以提高机械强度减少失效。
输入滤波电感，工字结构。
拆掉绝缘罩后，变压器旁边是主控芯片、驱动器和两颗GaN开关管。
TI UCC28782A 高密度ACF控制器，支持频率抖动以降低EMI电磁干扰，内置X电容放电和偏置电源管理。
TI UCC28782A 详细资料。
安森美 NCP51530B 高低侧栅极驱动器，配合TI UCC28782，用于驱动ACF架构的两个GaN开关管。
安森美 NCP51530B 详细资料。
纳微半导体NV6115 GaN开关管，上方是初级电流取样电阻。NV6115内置复杂的逻辑控制电路，170mΩ导阻，耐压650V，支持2MHz开关频率，采用5*6mm QFN封装，节省面积。
纳微半导体 NV6115 详细资料。
据了解，采用纳微半导体NV6115的还有小米GaN充电器Type-C 65W、RAVPower 45W GaN PD充电器、ROxANNE 1A1C 66W氮化镓充电器、Anker PowerCore Fusion PD超极充等产品。
变压器小板横穿过平面变压器磁芯。
将磁芯拆开，内部有一块胶垫，中间圆形磁芯。
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