根据Yole Développement (Yole)预测，新兴的非易失性存储器(NVM)市场在2020-2026年之间，整体将以约44%的CAGR成长”。Yole存储器市场与技术分析师Simone Bertolazzi称：“经过几年的发展，新兴的嵌入式NVM技术已经显著成熟，并已为市场起飞准备就绪。”2026年eMRAM市场规模约为17亿美元，相当于整体新兴eNVM市场的76%。
在MCU、物联网(IoT)和用于ASIC产品的存储器缓冲(buffer)驱动下，新兴的eNVM已准备好一飞冲天。供应链方面，eMRAM市场预期将快速成长，这可归功于各主要代工厂——台积电(TSMC)、三星(Samsung)、格芯(GlobalFoundries)、联华电子(UMC)，以及首批采用MRAM的先行者(如Sony)的共同参与。
2020年，首批基于eMRAM的商用产品上市，即由三星制造的Sony GPS SoCs (28nm FDSOI)，该产品被用于华为(Huawei)的智能手表，以及由台积电采用22nm超低漏电制程(ULL)制造的Ambiq低功耗MCU。预计在2021年可能会有许多基于eMRAM的元件进入量产，其中包括Greenwave的人工智能(AI)处理器，采用由格芯制造的eMRAM (22nm FDSOI)，以及由Numen和Gyrfalcon开发的Edge-AI加速器晶片，采用台积电22nm ULL制程制造。2020 年也有含嵌入式RRAM (eRRAM)的产品投放市场，新唐-松下(Nuvoton-Panasonic)推出了针对安全应用的新型IC元件，采用40nm OxRAM制程。
根据Yole存储器团队在其新发布的《2021年新兴非易失性存储器》所做的分析，eMRAM预计将比RRAM更快地得到采用。Yole的分析师们预测，在发展蓝图得以有效实施的乐观情况下，2026年eMRAM市场规模将达到约17亿美元，相当于整个新兴eNVM市场的76%左右。
然而，eRRAM仍将是一个强大的竞争对手。事实上，领先的竞争企业一直在对RRAM进行投资，目标是在40nm米及更高尺寸上替代eFlash：
最后，ePCM仍有其竞争力，并将以替代汽车MCU中的eFlash为目标。其主要推手是意法半导体(STMicroelectronics；ST)，该公司已选择PCM作为汽车市场中28nm FDSOI节点的最佳新兴NVM解决方案。
另一方面，独立式NVM市场则预计在2026年时达到33亿美元。独立式PCM市场预计将在2026年成长至约26亿美元，届时并将占整体独立式存储器市场的78%左右。
Yole半导体、存储器与运算部门主管Emilie Jolivet说：“这个由PCM、MRAM和BRAM组成的独立式新兴NVM市场将从2020年约5.95亿美元成长至2026年约33亿美元。它将由两个关键细分市场驱动，即低延迟存储(企业和用户端SCM硬碟)和持久存储器(NVDIMM)。”
Yole预期PCM预计将成为领先技术，这要归功于英特尔(Intel)与其服务器CPU捆绑销售的3DXPoint产品销量——尤其是PM12DIMM。2020年已有新型独立式Optane产品推出，市场期待已久的Alder Stream SSD。这是第一款采用带四个PCM堆叠层之第二代3D XPoint技术的产品。Yole的合作伙伴System Plus Consulting在其专题报告中对英特尔Optane128GB DIMM进行了全面分析。
System Plus Consulting的技术与成本分析师Belinda Dube说：“3D XPoint存储器形成了一种带多级存储器单元阵列的垂直结构。采用这种策略是为了增加存储器单元密度。这些存储器单元使用的是一种相变材料。它不像传统存储器那样使用电晶体，而是透过材料电阻的变化来实现位元储存。存储器单元是一种电阻随晶体结构变化而改变的材料。”
2020 年底，英特尔确认《财星》(Fortune)的500大企业中约有200家或是已经直接部署了Optane PM，或是处在POC阶段，而从POC到部署的转化率预计将超过85% 。然而，人们发现为PM部署而建立一个软硬体生态系统极具挑战性且耗时，目前这是由关键参与方英特尔来承担的。
责编：Demi
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