在近日IEEE国际固态电路会议上，有四家主要的3D NAND闪存制造商，都展示了最新的3D NAND技术，包括三星、SK hynix、铠侠Kioxia（+ 西部数据）、以及英特尔。
其中前三者分享了自己的3D TLC NAND设计，而英特尔展示的是144层3D QLC NAND。
（EDN编辑注：TLC与QLC的区别：
TLC，三比特单元（每个Cell单元储存3个数据，有23=8个状态，不详列，如上图，有八种不同电压状态），成本低，容量大，但寿命越来越短（理论可擦写1500次），但随着技术的成熟，目前寿命问题已经得到解决，并成为目前闪存颗粒中的最主流产品。
QLC，四比特单元（每个Cell单元储存4个数据，有24=16个状态，不详列，如上图，有十六种不同电压状态），成本更低，容量更大，但寿命更短（理论可擦写150次），想成为接替TLC的产品还有急需解决的问题。）
另外两家同样有3D NAND闪存产品的美光、以及长江存储都没有参加。其中美光去年年底宣布推出176L 3D NAND。
三星，SK hynix和Kioxia / WD介绍了有关其下一代3D TLC的信息。
（美光的176L TLC未在此处显示，因为他们尚未针对最新一代的3D NAND发布大部分数据。）
毫不奇怪，三星似乎将以最低的读取延迟和最快的写入速度，在性能上领先。但是，尽管他们声称这一代产品的提升达到70％，但它们的位密度仍然明显滞后。
三星实际的层数暂时仍在保密。
SK hynix和Kioxia / WD所描述的TLC部件看起来相当相似，但区别在于SK hynix的是512Gb芯片，而Kioxia的是1Tb芯片。
尽管Kioxia吹捧更高的NAND接口速度，但两种设计都具有相似的性能和密度。
Kioxia和Western Digital发布了一个新闻稿，宣布了162层3D NAND，因此它们的总层数落后于SK hynix和Micron。
该新闻稿还提到，其cell阵列的水平密度提高了10％。
今年唯一在ISSCC上进行QLC更新的公司是英特尔。
总的来说，英特尔比其他任何竞争对手都更加注重QLC NAND。
这款144L QLC是英特尔没有与美光科技共同开发的第一代3D NAND。
因为仅有144层，英特尔几乎可以肯定现在是层数的落后者。与9X层的QLC相比，英特尔具有更好的性能和密度——但是SK hynix和Kioxia描述的新型TLC的QLC版本应具有可比的密度。英特尔已经放弃使用96L QLC的方式来描述块大小，但144层NAND的48MB块尺寸看起来也很大。
责编：胡安
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