宽禁带材料是指禁带宽度大于2.3eV的半导体材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最为常见。随着电子电力的发展，功率器件的使用越来越多，SiC、GaN等被广泛应用于射频与超高压等领域。此外，为适应特高压输电、电动汽车充电桩等超高压应用，可以承受更高电压的超宽禁带半导体，如碳化硅、氧化镓等的研究也在逐渐深入，宽禁带材料一直是研究方向的热点。在半导体材料的研究中，电阻率、载流子密度和迁移率是测试的关键参数。
宽禁带材料的带隙较大，击穿电场较高。超禁带材料击穿电场更高。因此需要上千伏高压源表进行测试。
功率器件带隙较宽，稳定性好，受温度影响较小，所以也是高流器件的制备材料。电流特性的测试，需要用到几十安培的高流源表。
四线法及霍尔效应测试均是加流测压的过程，需要设备能输出电流并且测试电压，这意味着同时需要电流源和电压表。
电阻率及电子迁移率通常范围较大，需要电流电压范围都很大的设备。
电流源和电压表精度要高，保证测试的准确性。
四探针测试法
测试载台：四探针测试台
霍尔效应测试法
测试载台：磁场设备及探针台
测试设备：4200A-SCS
测试设备：2600-PCT
高压3kV，高流100A高精度源表；
SMU模块集电压源/电压表/电流源/电流表于一体，集成度高，方便使用；
SMU均配有开尔文接口，在测试小电阻时可有效消除线缆电阻的影响；
4200A设备电流输出精度40fA；电流测试精度10fA；电压测试精度80µV；
带有pulse工作模式，使用pulse测试可以消除自加热效应；
开放设备底层指令，附带编译软件，支持自编程;
提供高压高流测试夹具，保证测试安全。
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