中国上海，2020年10月19日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET---“TW070J120B”。该产品面向工业应用（包括大容量电源），并于今日开始出货。
该功率MOSFET采用碳化硅（SiC）这种新材料，与常规的硅（Si）MOSFET、IGBT产品相比，具有高耐压、高速开关和低导通电阻特性，有利于降低功耗，精简系统。
新产品采用了可提高碳化硅MOSFET可靠性的东芝第二代芯片设计生产[1]，实现了输入电容低、栅输入电荷低、漏源导通电阻低等特性。与东芝推出的1200V硅绝缘栅双极晶体管（IGBT）“GT40QR21”相比，“TW070J120B”关断开关损耗降低80%左右，开关时间（下降时间）缩短大约70%，并且能够在不超过20A[2]的漏极电流下提供低导通电压。
它的栅阈值电压被设置在4.2V至5.8V的较高电压范围内，有助于减少故障风险（意外开启或关闭）。此外，内置的具有低正向电压的碳化硅肖特基势垒二极管（SBD）也有助于降低功率损耗。
在大容量AC-DC转换器、光伏逆变器、大容量双向DC-DC转换器等工业应用中，这种新型MOSFET不仅将通过降低功率损耗来达到提高效率的目的，而且也将为缩小设备尺寸做出贡献。
应用：
・大容量AC-DC转换器
・光伏逆变器
・大容量双向DC-DC转换器
特性：
・第2代芯片设计（内置碳化硅SBD）
・高电压、低输入电容、低总栅电荷、低导通电阻、低二极管正向电压、高栅阈值电压：
VDSS＝1200V，Ciss＝1680pF（典型值），Qg＝67nC（典型值），
RDS（ON）＝70mΩ（典型值），VDSF＝-1.35V（典型值），Vth＝4.2～5.8V
・增强类型易于操作
主要规格：
（除非另有说明，@Ta＝25℃）
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器件型号 |
TW070J120B |
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封装 |
TO-3P(N) |
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绝对最大额定值 |
漏-源电压VDSS（V） |
1200 |
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漏极电流（DC）ID @TC＝25℃（A） |
36.0 |
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电气特性 |
漏-源导通电阻RDS（ON）典型值 @VGS＝20V（mΩ） |
70 |
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栅阈值电压Vth @VDS＝10V，ID＝20mA（V） |
4.2至5.8 |
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总栅电荷Qg典型值（nC） |
67 |
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输入电容Ciss典型值（pF） |
1680 |
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二极管正向电压VDSF典型值 @IDR＝10A，VGS＝-5V（V） |
-1.35 |
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