今日，Micron Technology (美光科技) 宣布：批量出货基于 1α (1-alpha) 节点的 DRAM 产品。
该制程是目前世界上最为先进的 DRAM 技术，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。这是继最近首推全球最快显存和 176 层 NAND 产品后，美光实现的又一突破性里程碑。EDN了解到，对比上一代的 1z DRAM 制程，1α 技术将内存密度提升了 40%。
美光计划于今年将 1α 节点全面导入其 DRAM 产品线，从而更好地支持广泛的 DRAM 应用领域——为包括移动设备和智能车辆在内的各种应用提供更强的性能。
美光执行副总裁兼首席商务官 Sumit Sadana 先生表示：“我们全新的 1α 技术将为手机行业带来最低功耗的 DRAM，同时也使美光于数据中心、客户端、消费领域、工业和汽车领域的 DRAM 客户受益匪浅。”
美光的 1α 技术节点使内存解决方案更节能、更可靠，并为需要最佳低功耗 DRAM 产品的移动平台带来运行速度更快的 LPDDR5。美光为移动行业提供最低功耗的 DRAM 平台，实现了 15% 的节能（与美光上一代 1z 制程移动设备 DRAM 相比，功耗降低了 15%。），使 5G 用户在不牺牲续航的同时能在手机上进行更多任务操作。
美光的 1α 先进内存节点提供 8Gb 至 16Gb 的密度，将助力美光现有的 DDR4 和 LPDDR4 系列产品延长生命周期，并能为美光在服务器、客户端、网络和嵌入式领域的客户提供更低功耗、更可靠的产品及更全面的产品支持，从而降低客户再次验证的成本。
对于具备较长产品生命周期的汽车嵌入式解决方案、工业 PC 和边缘服务器等应用场景而言，1α 制程同样保证了在整个系统生命周期内更具优势的总体拥有成本。
美光位于台湾地区的工厂已开始批量生产 1α 节点 DRAM，首先出货的是面向运算市场的DDR4 内存以及英睿达 (Crucial) 消费级 PC DRAM 产品。
美光同时也已开始向移动客户提供 LPDDR4 样片进行验证。诸如1α之类的技术对于下一代DDR5存储设备特别有用，与当今的DRAM相比，它们将具有更复杂的架构。 公司将在 2021 自然年内推出基于该技术的更多新产品。
预计1α节点将逐步部署到美光的产品组合中，并将在2022财年成为主力。
与行业同行不同，美光科技不打算在短期内使用EUV光刻技术来生产存储器，而是打算依靠各种多重图案。
美光的下三个DRAM节点将继续使用深紫外线（DUV）光刻技术，但该公司现在正在考虑将EUV用于其1δ工艺。
换而言之，美光公司正在开发的的1β和1γ节点将不会使用任何EUV层。取而代之的是，该公司将继续使用多图案技术，并责成其工程师设计尽可能高效的DRAM，以确保其设备在比特密度，功率和性能方面具有竞争力。
但是，下一代光刻技术是不可避免的，因此美光无法忽略EUV。
对于目前处于探索模式的1δ节点，该公司正在考虑EUV和多图案。此外，该公司正在评估各种设计架构。
责编：胡安
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