据EDN电子技术设计了解，英特尔的新研究成果显示，英特尔离量子芯片的生产又近了一步。
据悉，在英特尔位于俄勒冈州希尔斯伯勒的戈登·摩尔晶体管研发机构，实验室和组件研究部门展示了迄今为止业界最高的硅自旋量子比特芯片的报告产量和均匀性，这些芯片是在英特尔的晶体管研发设施开发的。这一成就代表了在英特尔晶体管制造工艺上扩大规模和努力制造量子芯片的一个重要里程碑。
这项研究是使用英特尔的第二代硅自旋测试芯片进行的。通过使用英特尔低温探针(在低温(1.7 K或-271.45摄氏度)下运行的量子点测试设备，该团队分离出12个量子点和4个传感器。这是业界最大的硅电子自旋器件，在整个300 mm硅晶圆的每个位置都有一个电子。
英特尔的研究表明，使用极紫外（EUV）光刻技术制造的芯片显示出显著的均匀性，整个晶圆的良率达到95%。低温探针的使用以及强大的软件自动化能力，使最后一个电子的900多个单量子点和400多个双量子点，可以在不到24小时内、绝对零度以上被表征出来。
与以前的英特尔测试芯片相比，这种在低温下表征的芯片产量和均匀性的提高，这意味着硅自旋量子比特芯片已经非常接近量产，向商业量子计算机所需的数千或潜在的数百万量子比特扩展的关键一步。
量子硬件总监James Clarke讨论了他的公司在利用现有晶体管制造技术制造硅自旋量子比特方面的进展。英特尔利用其半导体制造能力对该公司在该行业的发展至关重要。预计该公司的硅芯片精制实例将被应用于英特尔的先进量子计算。
在最新的博客文章中提及称第二代硅自旋测试芯片的测试和生产创造了关于该公司在量子芯片制造方面的进展。英特尔的新量子设备是使用Cryoprober进行采样的，在1.7开尔文，或-271.45°C的浅层温度下运行，以保持量子比特的弹性，也允许它们在这种条件下用于计算和利用。
英特尔将继续开展"室温量子计算机"的工作，这是英特尔在新兴发展领域的又一个挑战。
Cryoprober验证了该公司百分之九十五的量子比特封装芯片被正确处理，这对英特尔来说是非常好的消息，因为大多数量子芯片生产工作都是单一地制造设备，其EUV工艺现在有资格在一块晶圆上制造许多量子芯片，产生相当高的成果。
随着该公司第二代硅自旋测试芯片的完成，英特尔将利用统计过程控制来进行优化，收集已经达到的进展来瞄准下一代量子芯片。该公司和其他公司面临的挑战是有能力制造充满数百万个量子比特的量子芯片，这在整个行业中目前仍处于早期阶段。
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