随着半导体产业的持续发展，相较第一代硅基半导体和第二代砷化镓等半导体，第三代半导体因其具有高击穿电场、高热导率、高电子迁移率、高工作温度等诸多优点，越来越受到市场关注。氮化镓(GaN)作为第三代半导体的优秀代表，已经被广泛应用于快充领域，并快速向着其他领域拓展延伸。EDNC小编有幸对氮化镓领域的龙头企业之一英诺赛科进行了采访，让我们一起了解一下作为行业先锋的他们对这一市场有着怎样的思考和布局。
根据Trendforce 2021年数据，英诺赛科氮化镓功率产品全球市场占有率已经攀升至20%，位居全球第三，英诺赛科作为一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的公司，其核心竞争力体现在公司的经营模式上，他们采用IDM全产业链的模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析、销售与应用支持于一体，能够推动产品的快速迭代，提升性能。
从整个半导体市场的角度来看，目前硅基半导体的技术已经非常成熟，其发展模式有IDM、有代工，产业分工比较细化，而氮化镓半导体的各个代工厂商数据库和芯片技术还远不如硅基市场成熟，不同厂商之间的水准还存在较大差距，所以采用IDM模式虽然相对来说初期成本较高，但是能大大规避这方面的限制条件。
基于IDM的经营模式，英诺赛科从技术研发、到材料生长维度创新再到器件设计，端到端挖掘GaN材料的特性和优势。利用IDM模式的优势，推动产品的快速迭代，每两代产品升级可使单片晶圆的芯片数量增加到两倍左右，产品性能提升一倍的同时，成本也降低了一半；IDM模式还能发挥较强的资源整合能力，大大缩短从芯片设计到芯片制造所需的时间；最后是规模化量产，英诺赛科目前拥有两座氮化镓晶圆生产基地，月产能超过10000片，规模化生产能够给客户稳定的保障。
与此同时，英诺赛科采用的IDM模式可以从多个方面加强其市场竞争力，在激烈的竞争中保持优势地位。从规模上看，他们拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆生产能力，这确保了他们可以稳定为市场供应需求；从产品上看，英诺赛科已经全面量产从40V到650V覆盖全电压范围的氮化镓功率芯片，且产品设计和性能都达到了国际先进水平；从市场应用上看，基于氮化镓高频高效的优越特性，通过IDM模式他们不仅可以提供完善的产品开发解决方案，还能根据客户需求进行定制，最大限度发挥氮化镓的价值。
这也给予我们更多的启示，半导体是一个全球化的产业，比起其他的产业需要更多的国际分工合作跟交流才能促进发展，但同时半导体作为一种高新技术行业因其重要的经济地位，不可避免的存在诸多技术壁垒，所以保障其产业链的安全十分重要，一个国家应该具有自主的半导体制造能力。由此看来英诺赛科作为行业的先锋，走IDM模式是一个相当正确的决定，作为全球第一家以IDM模式运营的8英寸硅基GaN企业，英诺赛科在合适的时机切入了这个潜力巨大的市场，除了产能的产业化，英诺赛科更是凭借在技术和产品布局上领先行业的科技优势，以及产品覆盖率优势，顺利向国际市场扩张。
氮化镓作为当前第三代半导体在未来科技发展中应用范围广，市场容量大的新材料，已经在快充市场上充分显示出了其发展潜力，英诺赛科在消费电子领域就已收获颇丰，不但已经与国内外许多一线消费电子品牌达成合作，如OPPO、vivo、联想、中兴、摩托罗拉、努比亚、荣耀等，与海外品牌的合作也都进入了Design-in的阶段，进一步的成果非常可期。
但这仅仅是一个突破口，氮化镓的潜力远不止于此，英诺赛科作为行业龙头之一将会集结全球主流应用厂商和上下游的力量，不断从消费到工业到汽车等领域拓展，构建氮化镓生态，给产业发展带来新的思路和突破。
技术上，英诺赛科也突破了GaN的应用边界，积极开发All-GaN技术，已经联合安克在海内外发布了基于All-GaN技术的快充新品。
应用上，不止智能手机，英诺赛科也打开了笔记本电脑的市场，从小功率的充电器拓展到了更大功率的适配器。
针对电动汽车市场，英诺赛科开发的车规级产品也已经获得激光雷达客户采用并建立了合作关系，面对电动汽车等严苛的使用环境，技术上也通过了AEC车规级认证，产品获得客户的认可和采用。与此同时他们也在车载OBC、DC-DC和牵引逆变器上加速布局。相信在储能和通信领域，氮化镓也将发挥重要的作用。
第三代半导体是一个新兴的行业，氮化镓也正处于起步阶段，在技术层面，氮化镓器件还需要不断的进行更新迭代，通过市场的反复验证来促进产品进一步完善。随着应用范围的拓展和深入，构建上下游的产业生态也非常必要。
在发展方面，技术和人才依旧是行业发展不可或缺的部分，半导体产业是一个综合产业，非常考验综合实力。海外半导体发展时间较长，已经率先培养了一批半导体行业的人才，国内半导体行业想要实现领先，与国家、企业、院校的通力合作密不可分，虽然近几年通过行业的努力和国家的支持也在人才输送上有了改善，但集中优秀人才还需要市场的积累和院校的共同培养。
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