今年一月各大厂商新推出的功率器件可圈可点，在能效、封装、散热、简化设计等方面都取得了不错的表现，同时研发重点也更着重聚焦于功率器件在电动汽车上的应用。
1月4日，安森美宣布将其碳化硅(SiC)系列命名为“EliteSiC”，在美国拉斯维加斯消费电子展览会(CES)上，安森美展示了其EliteSiC系列中的1700V EliteSiC MOSFET。安森美的1700V EliteSiC MOSFET(NTH4L028N170M1)，可以提供高功率工业应用所需的更高击穿电压(BV)的SiC方案。
目前可再生能源应用正不断向更高的电压发展，其中太阳能系统正从1100V向1500V直流母线发展。为了支持这变革，客户需要具有更高击穿电压值的MOSFET。新的1700V EliteSiC MOSFET的最大Vgs范围为-15V/25V，适用于栅极电压提高到-10V的快速开关应用，提供更高的系统可靠性。
在1200V、40A的测试条件下，1700V EliteSiC MOSFET的栅极电荷(Qg)达到领先市场的200nC，而同类竞争器件的Qg近300nC。低Qg对于在快速开关、高功率可再生能源应用中实现高能效至关重要。
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瑞萨电子推出的这款全新汽车级智能功率器件(IPD)，可安全、灵活地控制车辆内的配电，满足新一代E/E(电气/电子)架构的要求。新型RAJ2810024H12HPD采用小型TO-252-7封装，与传统的TO-263封装产品相比，安装面积减少约40%。此外，新器件的先进电流检测功能可实现对过流等异常电流的高精度检测。由于全新IPD即使在低负载时也能检测异常电流，因而允许工程师设计高度安全和精确的电源控制系统，甚至可以检测到最细微的异常情况。
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本月，意法半导体推出了各种常用桥式拓扑的ACEPACK SMIT封装功率半导体器件。与传统TO型封装相比，意法半导体先进的ACEPACK SMIT封装能够简化组装工序，提高模块的功率密度。
意法半导体的ACEPACK SMIT贴装封装，顶部绝缘散热，使用直接键合铜(DBC)贴片技术，实现高效的封装顶部冷却。在ACEPACK SMIT封装顶面有4.6cm2裸露金属表面，可以轻松地贴装平面散热器，从而节省空间，实现扁平化设计，最大限度地提高散热效率，在高功率下实现更高的可靠性。可以使用自动化生产线设备安装模块和散热器，从而节省人工生产流程并提高生产率。此封装极大的提高了功率密度，顶面绝缘散热面的面积是32.7x22.5mm，引脚间的爬电距离达到6.6mm，能耐受绝缘电压为4500Vrms，且封装的寄生电感电容也极低。
目前有五款采用该封装的产品可选：两个STPOWER 650V MOSFET半桥模块、一个600V超快二极管整流桥、一个1200V半桥全波整流模块和一个1200V晶闸管半桥整流模块。所有器件均符合汽车行业要求，适用于电动汽车车载充电机(OBC)和DC/DC变换器,以及工业电源变换。
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Vishay本月推出了两款新型30V对称双通道n沟道功率MOSFET——SiZF5300DT和SiZF5302DT，将高边和低边TrenchFET Gen V MOSFET组合在3.3x3.3mm PowerPAIR 3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix SiZF5300DT和SiZF5302DT适用于计算和通信应用功率转换，在提高能效的同时，减少元器件数量并简化设计。
目前发布的双通道MOSFET可用来取代两个PowerPAK 1212封装分立器件，节省50%基板空间，同时占位面积比PowerPAIR 6x5F封装双片MOSFET减小63%。MOSFET为USB-C电源笔记本电脑、服务器、直流冷却风扇和通信设备同步降压转换器、负载点(POL)转换电路和DC/DC模块设计人员提供节省空间解决方案。这些应用中，SiZF5302DT高低边MOSFET提供了50%占空比和出色能效的优质效果，特别是在1A到4A电流条件下。而SiZF5300DT则是12A到15A重载的理想解决方案。
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