台积电的3nm很早就实现了量产，但除了网传的苹果A17芯片，一直没有其他3nm芯片的消息，也没有芯片的实物产品面世。近日，美国芯片公司Marvell，终于正式发布了全球第一颗3nm芯片，基于台积电3nm工艺打造的数据中心芯片。
左侧蓝色眼图表示为PCIe Gen 6/CXL 3.0优化3nm SerDes的高性能信号，右侧橙色眼图表示为112G XSR优化的低延迟3nm SerDes信号。
据Marvell介绍，其基于台积电3nm的芯片，可用于设计芯片的综合硅IP组合，将从根本上提高下一代数据基础设施的带宽、性能和能效。该司在3nm节点中首创112G XSR SerDes（串行器/解串行器）、Long Reach SerDes、PCIe Gen 6 PHY / CXL 3.0 SerDes和240 Tbps并行芯片到芯片互连，用于管理数据基础设施中的数据流。
按照Marvell所说，SerDes和并行互连在芯片中充当高速通道，用于在Chiplet内部的芯片或硅元器件之间交换数据，加之2.5D和3D封装，这些技术将共同消除系统级瓶颈，以推进复杂的半导体设计。SerDes还有助于减少引脚、走线和电路板空间，从而降低成本。
新的并行芯片到芯片互连可实现高达240Tbps的聚合数据传输，比多芯片封装应用的可用替代方案快45%。换句话说，这种新的方案互连传输速率相当于每秒下载10,000部高清电影，尽管其距离只有几毫米或更短。
Marvell 将其SerDes和互连技术整合到其旗舰硅解决方案中，包括Teralynx开关，PAM4和相干DSP，Alaska以太网物理层(PHY)设备，OCTEON处理器，Bravera存储控制器，Brightlane汽车以太网芯片组和定制 ASIC。而转向3nm工艺使工程师能够降低芯片和计算系统的成本和功耗，同时保持信号完整性和性能。
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