|
Flash存储器出货量超1.8亿颗后，第二代升级版来了。 ——普冉半导体 |
五年前， 普冉在2018年松山湖推出第一代超低功耗PU系列（P25Q32U），当时EDN也有相应的报道（点击查看），该系列目前已累计销售1.8亿颗。
2023年论坛上，推出的P25Q32SN算是升级版，普冉宣称是业界首家1.1V6.5uJ/Mbit新一代领先工艺、超低电压超低功耗、面向AIOT的高性能Flash存储器芯片。
业界领先的Memory供应商，聚焦低功耗非易失性存储器芯片及基于存储芯片的衍生芯片，四条核心产品线持续发力：
支持1.1V电源系统，为业界最低，具备宽电压范围1.05V~2.00V，可涵盖1.1V、1.2V和1.8V AIOT系统；采用业界创新工艺和领先制程的40nm SONOS工艺；
目前行业最低功耗，1.1V 80M STR 4IO 读取功耗约2.86mW，80M DTR 4IO读取功率约为4.2mW，为业界同类产品功耗的一半, 甚至更低；
快速读取：416Mbps (STR 4IO)；640Mbps (DTR 4IO) ；
16Mb-64M已出货，后续将开发全容量系列；同时支持SOP8、USON8、WSON8、TSSOP8、WLCSP 等多种封装形式以及 KGD for SiP；
可基于极低功耗，为音频、图像等多模态SoC智能主控芯片提供必要性存储辅助，助力元宇宙的国产生态链完善。
“元宇宙是AIOT的典型风口，是物联网发展的终极形态。我们的产品可用于由电池供电且设计空间有限的装置，如行动装置、物联网和穿戴式装置。” 普冉半导体（上海）股份有限公司设计中心高级总监冯国友指出。
最前沿的电子设计资讯
