三星周四表示，它已经开始批量生产采用 12 纳米 (nm) 级工艺节点制造的双倍数据速率 5 (DDR5) DRAM。
据三星称，与上一代相比，与上一代产品相比，三星全新的 12 纳米级 DDR5 DRAM 可将功耗降低多达 23%，同时将晶圆产能提高多达 20%，这意味着由于芯片尺寸小于上一代。
这家科技巨头表示，16Gb DDR5 DRAM 的功耗降低将使服务器和数据中心运营商能够减少能源消耗和碳足迹。
该芯片还拥有 7.2Gbps 的最高速度，这意味着它可以在大约一秒内处理 60GB，并针对数据中心、人工智能和新的计算应用。
12nm节点的实现得益于三星采用了一种新的高k材料，可以让芯片准确地区分数据信号的差异。
DRAM 已经在 12 月验证了与 AMD 的兼容性，三星表示目前正在与更多的全球 IT 公司合作。
业内人士认为，在内存芯片行业陷入低迷之际， 三星12nm DRAM开始量产，使其成为现有DRAM中最先进的技术，这表明世界上最大的存储芯片制造商三星打算保持其在该领域的领导地位。
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