据EDN获悉，SK海力士本周二宣布已完成第五代 10 纳米动态随机存取存储器 (DRAM) 技术的开发，并已在英特尔数据中心认证内存计划中启动验证。
英特尔占据了全球服务器市场 80% 以上的份额。验证完成后，SK 海力士的先进技术 DRAM 将用于英特尔下一代服务器使用平台 Xeon Scalable 处理器。根据市场数据追踪机构 Omdia 的数据，预计到 2024 年 DDR5 将占服务器 DRAM 市场的 51%，首次超过 DDR4 的 49%。
SK 海力士被视为向在服务器市场获得大型合作伙伴迈进了一步。
【SK海力士向英特尔提供的DDR5 DRAM产品运行速度高达6.4Gbps（每秒6.4千兆比特），公司技术团队实现了目前市面上DDR5 DRAM的最高速度。与DDR5 DRAM初期阶段的试制品相比，数据处理速度提升了33%。另外，公司在此次1b DDR5 DRAM上采用了“HKMG（High-K Metal Gate）”工艺，与1a DDR5 DRAM相比功耗减少了20%以上。】
图：SK 海力士公司的第五代 10 纳米动态随机存取存储器 (DRAM)
SK 的 DRAM 开发负责人 Kim Jong-hwan 表示：“在我们的 1anm 服务器 DDR5 产品与第四代英特尔至强可扩展处理器的兼容性成功验证后，SK 海力士预计 1bnm DDR5 产品与英特尔的验证过程将顺利进行。”
Kim补充说，第五代10纳米工艺将被用于更广泛的产品，例如明年上半年的高带宽内存产品HBM3E。
在DRAM厂商中，美国美光科技率先打开了第五代10纳米DDR5产品的大门。美光去年11月宣布量产，但业界估计该技术严格涉及13纳米制程技术。【点击查看报道：美光DDR5为第四代英特尔至强可扩展处理器家族带来更强的性能和可靠性】
全球最大的存储芯片制造商三星电子也于5月开始量产第五代10纳米产品。与其前代型号相比，其 12 纳米 16Gb DDR5 DRAM 的工作效率提高了 20%。三星电子已完成与美国芯片公司AMD的兼容性测试。【点击查看报道：三星开始量产先进的12nm DDR 16Gb DRAM】
内存行业正在全力供应下一代DDR5，因为它预计随着ChatGPT等生成AI技术的广泛使用，需求将会增长。【点击查看报道：ChatGPT带动数据中心混合式存储方案走红】
图：SK 海力士公司的第五代 10 纳米动态随机存取存储器 (DRAM)
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