据EDN电子技术设计报道，日前外媒korea.postsen援引业界相关人士的话称，SK海力士14nm级DDR5 DRAM(1a)产品良率传高达90%，远高于竞争对手。
他表示，被认为是今年内存半导体企业最大战场之一的 DDR5 DRAM 市场正围绕服务器用 128GB DDR5 等高容量产品展开，而由于三星电子和美光目前还无法生产 128GB DDR5 大容量 DRAM 产品，SK 海力士在这一领域中供应了 100% 的市场量。
Shinhan Investment & Securities Research Institute 的 Koh Young-min 表示，“经证实，SK 海力士在准备 1b-nano 方面是最先进的，这是前 3 大 DRAM 中的下一代工艺。”
产业人士表示，DDR5内存是各大存储厂商2023年竞争的焦点，如今大容量（128GB）服务器用DDR5内存条的需求在快速增长，如今SK海力士的市场份额达到了100%，三星和美光暂时没有能力生产128GB容量的DDR5内存。
值得一提的是，目前DDR5的产能尚且不足，除了SK海力士之外，三星、美光的良率要更落后。此外，SK海力士在下一代1b制程节点上也处于领先，HBM3缓存芯片产品同样占据主导地位，因此有报道称Nvidia有兴趣使用SK海力士HBM3E内存。
据韩国 Money Today 和首尔经济日报援引的行业消息人士称，Nvidia 已向 SK 海力士索要 HBM3E 样品，以评估它们对 GPU 性能的影响。
SK 海力士即将推出的 HBM3E 内存会将数据传输速率从目前的 6.40 GT/s 提高到 8.0 GT/s。这一增强将因此将每堆栈带宽从 819.2 GB/s 提升到惊人的 1 TB/s。然而，围绕 HBM3E 与现有 HBM3 控制器和接口的兼容性存在不确定性，因为 SK 海力士尚未披露有关新技术这方面的信息。无论如何，Nvidia 和其他计算 AI 和 HPC GPU 的开发商都需要评估技术。若技术评估通过，那么 Nvidia 用于人工智能和高性能计算应用的下一代计算 GPU 可能会使用 HBM3E 内存而不是 HBM3。
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