7月26日，美光宣布推出业界首款8层24GB HBM3 Gen2内存芯片，是HBM3的下一代产品，采用1β工艺节点，目前该款美光内存芯片正在向客户提供样品。
美光是业界第一个制造出第二代HBM3内存的厂商，据称这款内存也是当前世界上速度最快的内存芯片，总带宽超过1.2TB/s，引脚速度超过9.2Gb/s，比HBM3提高50%。同时，该款HBM3 Gen2芯片的每瓦性能是HBM3的2.5倍左右，能效得到了大幅提升。此外，这款芯片采用11mm×11mm封装形式，具有16条通道、高可靠性，产品支持2.5D、3D以及CoWoS封装形式，适用于AI芯片、HPC处理器等应用。
据EDN小编了解，HBM全称为High Band width Memory，即高带宽内存，是一种新兴的标准DRAM解决方案。最初该方案是由三星、AMD和SK海力士提出来的，可实现高于256GBps的突破性带宽，同时降低功耗，第一个HBM内存芯片是由SK海力士于2013年生产的， 2015年的AMD Fiji GPU则是第一个使用HBM的产品。此次，美光成为第一个提供第二代HBM3内存样品的公司，也算是成功的后来居上，超过了SK海力士和三星等领先的竞争对手。
目前，台积电目前已经收到美光HBM3 Gen2内存的样品，并与美光紧密合作进一步评估和测试。根据美光公布的最新内存路线图，这款8层堆叠HBM3 Gen2内存容量为24GB，未来还有12层堆叠版本，容量可达36GB，预计到2024年第一季度可以生产出样品，到2025年则将正式量产36GB HBM Gen2内存。此外，2026年美光还将推出36GB-64GB HBM产品，带宽可以提升至1.5~2TB/s。
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