SK海力士推出321层1Tb NAND，针对PCIe 6.0和UFS 5.0应用

韩国SK海力士展示了全球首款超过300层的NAND存储芯片样品，321层1Tb TLC 4D NAND Flash。ujqednc

下一代1Tbit三层单元NAND内存芯片（321层）针对PCIe 6.0和UFS 5.0应用。这是继 6 月份开始量产的 238 层 512Gbit 版本之后的新进展。ujqednc

SK海力士计划从2025年上半年开始量产321层芯片。ujqednc

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随着生成型人工智能应用程序（例如由微软公司支持的 OpenAI 开发的 ChatGPT）的快速增长，对能够以更快的速度处理更多数据的先进存储芯片的需求一直在增加。ujqednc

321层1Tb TLC NAND存储芯片与上一代238层512Gbit相比，生产率提升了59%。ujqednc

这归功于技术的发展，由于数据存储的单元可以以更多的单片数量堆栈至更高，在相同芯片上实现更大存储容量，这意味着单个晶圆上可以生产的总容量增加了。 ujqednc

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据SK海力士介绍，第8代3D NAND闪存主要运用了五个方面的技术，包括：ujqednc

首先，其拥有三重验证程序(TPGM) 功能可缩小单元阈值电压分布，并将 tPROG （编程时间） 减少 10%，从而转化为更高的性能。ujqednc

其次，采用 Adaptive Unselected String Pre-Charge (AUSP) 技术，再将 tPROG 降低约 2% 。ujqednc

第三，APR方案可将读取时间降低约 2%，并缩短字线上升时间。ujqednc

第四，编程虚拟串 (PDS) 技术可藉由降低通道电容负载来缩短 tPROG 和 tR 的界线稳定时间。ujqednc

最后，平面级读取重试 (PLRR) 功能，允许在不终止其他平面的情况下，更改平面的读取级别。之后，立即发出后续读取命令，并提高服务质量 (QoS)，从而提高读取性能。ujqednc

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