美光利用1β工艺技术提供高速7,200 MT/s DDR5内存

美光科技宣布推出 16Gb DDR5 内存，扩展了其业界领先的 1β (1-beta) 工艺节点技术。美光的 1β DDR5 DRAM 已展示速度高达 7,200 MT/s 的系统内功能，现已向所有数据中心和 PC 客户发货。美光基于 1β 的 DDR5 内存采用先进的高 k CMOS 器件技术、4 相时钟和时钟同步，与上一代产品相比，性能提升高达 50%，每瓦性能提高 33%。PYYednc

随着 CPU 核心数量的增加以满足数据中心工作负载的需求，对更高内存带宽和容量的需求也显着增长，以克服“内存墙”挑战，同时优化客户的总拥有成本。美光的 1β DDR5 DRAM 允许计算能力以更高的性能扩展，从而支持跨数据中心和客户端平台的人工智能 (AI) 训练和推理、生成式 AI、数据分析和内存数据库 (IMDB) 等应用。新的 1β DDR5 DRAM 产品线提供当前模块密度，速度范围为 4,800 MT/s 至 7,200 MT/s，适用于数据中心和客户端应用。PYYednc

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美光科技核心计算设计工程集团公司副总裁Brian Callaway 表示：“面向客户端和数据中心平台的 1β DDR5 DRAM 的大批量生产和上市标志着行业的一个重要里程碑。我们与生态系统合作伙伴和客户的合作将推动这些高性能内存产品的更快采用。” PYYednc

美光科技的 1β 技术使美光科技能够提供广泛的基于内存的解决方案组合，包括使用 16Gb、24Gb 和 32Gb DRAM 芯片的 DDR5 RDIMM 和 MCRDIMM、使用 16Gb 和 24Gb DRAM 芯片的 LPDDR5X、HBM3E 和 GDDR7。PYYednc

据了解，内存工艺进入20nm节点之后，厂商的命名已经发生了变化，都被称为10nm级内存，但有更细节的划分，之前是1x、1y 和 1z三代，后面是1α，1β，1γ。PYYednc

在1α，1β，1γ这三代中，三星在1α上就开始用EUV光刻工艺，但是代价就是成本高，美光现在量产的1β工艺就是最先进的。PYYednc

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1β工艺水平相当于13nm，而且美光依然没有使用EUV工艺，避免了昂贵的光刻机。不使用EUV光刻，美光在1β内存上使用的主要是第二代HKMG工艺、ArF浸液多重光刻等工艺，实现了35%的存储密度提升，同时省电15%。PYYednc

1β之后还有1γ工艺，估计会是12nm级别，制造难度更大，但美光依然没有明确是否使用EUV光刻机，他们的目标很可能是继续使用现有工艺改进，避免EUV光刻机的成本。PYYednc